SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SMZJ3799B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3799B-M3/52 0.1882
RFQ
ECAD 2856 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3799 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
SMZJ3800B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3800B-M3/52 0.1304
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3800 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 22.8 V 30 V 26 ohmios
SS24-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24-M3/52T 0.1440
RFQ
ECAD 8834 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 2a -
SS34-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-M3/57T 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss34 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SS3P3HM3J/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3J/84A 0.1386
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA Ss3p3 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 580 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
SSA33L-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA33L-M3/61T 0.1216
RFQ
ECAD 5571 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSA33 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SSC53L-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSC53L-M3/57T 0.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSC53 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 5 A 700 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A -
TLZ10-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ10-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ10 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 10 V 8 ohmios
TLZ11B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ11B-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ11 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 9.98 V 11 V 10 ohmios
TLZ11C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ11C-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 331 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ11 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 10.28 V 11 V 10 ohmios
TLZ12C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12C-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ12 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 11.2 V 12 V 12 ohmios
TLZ12-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 4689 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ12 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 12 V 12 ohmios
TLZ13C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ13C-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ13 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 12.3 V 13 V 14 ohmios
TLZ13-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ13-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 5491 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ13 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 13 V 14 ohmios
TLZ16B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ16B-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ16 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 14.5 V 16 V 18 ohmios
TLZ22A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ22A-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ22 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 19.1 V 22 V 30 ohmios
VB20120C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20120C-M3/8W 0.8747
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB20120 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 10A 900 MV @ 10 A 700 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
VB30150C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30150C-M3/8W 0.9955
RFQ
ECAD 5484 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB30150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 1.36 v @ 15 a 200 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
VBT1080C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-E3/8W 0.5115
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VBT1080 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 5A 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VBT2045C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045C-M3/8W 0.9758
RFQ
ECAD 3039 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VBT2045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 580 MV @ 10 A 2 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VBT2080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2080C-M3/8W 0.8057
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VBT2080 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 10A 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VBT6045CBP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT6045CBP-M3/8W 1.6536
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VBT6045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 640 MV @ 30 A 3 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VLZ11A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ11A-GS18 -
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ11 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 9.67 V 10.45 V 10 ohmios
VLZ12A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ12A-GS18 -
RFQ
ECAD 2244 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ12 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 10.6 V 11.42 V 12 ohmios
VLZ16B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ16B-GS18 -
RFQ
ECAD 6426 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ16 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 14.5 V 15.65 V 18 ohmios
VLZ18C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ18C-GS18 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ18 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 16.5 V 17.88 V 23 ohmios
VLZ20-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ20-GS18 -
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ20 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 20 V 28 ohmios
VLZ27B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ27B-GS18 -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ27 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 23.7 V 25.62 V 45 ohmios
VLZ2V7A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ2V7A-GS18 -
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ2V7 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 1 V 2.65 V 100 ohmios
VLZ30A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30A-GS18 -
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ30 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 25.6 V 27.69 V 55 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock