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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
EGF1The3/67a	-	RFQ	2352	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214BA	EGF1	Estándar	DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1300 V		3 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
EGL34B-E3/98	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar	DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
ES1D-M3/61T	0.3800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
Es1dhe3/61t	-	RFQ	5898	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
Es3bhe3/57t	-	RFQ	7855	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	3	Estándar	DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
Esh1pdhe3/84a	-	RFQ	4358	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
ESH2CHE3/52T	-	RFQ	5734	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		930 MV @ 2 A	35 ns	2 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
Esh2pbhe3/84a	-	RFQ	6228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
Gf1bhe3/67a	-	RFQ	2014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar	DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
GL34BHE3/98	-	RFQ	8055	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar	DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GL34BHE3_A/H	EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
MSE1PB-M3/89A	0.3700	RFQ	80	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	MicroSMP	MSE1	Estándar	MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	780 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
SE15PJ-M3/84A	0.3600	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO220AA	SE15	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	9.5pf @ 4V, 1MHz
SL22HE3/52T	-	RFQ	8237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL22	Schottky	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		440 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
By229b-600-e3/45	-	RFQ	1978	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Byt28b-400he3_a/p	-	RFQ	7201	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	ByT28	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Byvf32-150he3_a/p	1.0725	RFQ	6799	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	BYVF32	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BYW29-100-E3/45	1.1400	RFQ	605	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	Un 220-2	BYW29	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	45pf @ 4V, 1MHz
BYW29-200HE3/45	-	RFQ	5807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-2	BYW29	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	45pf @ 4V, 1MHz
BYWB29-100-E3/45	0.6674	RFQ	7712	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
ByWB29-50HE3_A/P	0.7590	RFQ	6899	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
FEP30AP-E3/45	1.6062	RFQ	8489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Fep30	Estándar	TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	15A	950 MV @ 15 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FEP30FP-E3/45	1.7818	RFQ	6447	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Fep30	Estándar	TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	15A	1.3 V @ 15 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Fepb16bthe3_a/p	1.1550	RFQ	9388	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Fepf6at-e3/45	-	RFQ	3266	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Fepf6	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FEPF6CT-E3/45	-	RFQ	2460	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Fepf6	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Fes16athe3/45	-	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
FES16CT-E3/45	0.6780	RFQ	9797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
FES16HT-E3/45	1.5900	RFQ	975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Fes8athe3/45	-	RFQ	2526	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Fes8dthe3/45	-	RFQ	4578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²