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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Z4KE160A-E3/54	0.1584	RFQ	2179	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Z4ke160		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5.500						1 V @ 500 Ma		500 na @ 121.6 V				160 V	1100 ohmios
SB160A-E3/73	-	RFQ	5439	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB160	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		650 MV @ 1 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Ar1fdhm3/h	0.4600	RFQ	18	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 v @ 1 a	140 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12.6pf @ 4V, 1MHz
BZX84C39-HE3-18	0.0313	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C39		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 27.3 V				39 V	130 ohmios
TZM5265C-GS18	-	RFQ	8201	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5265		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
BAV17-TR	0.2300	RFQ	50	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAV17	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 20 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
ES1B-E3/5AT	0.4000	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
MMBZ5257C-G3-08	-	RFQ	4117	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5257		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
HFA90NH40	-	RFQ	1222	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	HFA90	Estándar		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*HFA90NH40	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 90 A	140 ns	6 µA @ 400 V		90A	-
MBR3050PT-E3/45	1.8029	RFQ	6664	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	MBR3050	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	30A	760 MV @ 30 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
S2GHM3_A/H	0.1007	RFQ	3350	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2G	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-S2GHM3_A/HTR	EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5225C-E3-18	-	RFQ	4243	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5225		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 µA @ 1 V				3 V	30 ohmios
BAV21W-E3-08	0.2800	RFQ	34	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	BAV21	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
AR1FGHM3/H	0.4600	RFQ	18	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 1 a	140 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12.6pf @ 4V, 1MHz
BZG03B27-HM3-08	0.2310	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B27		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 20 V				27 V	15 ohmios
TZM5242C-GS18	-	RFQ	7886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5242		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	30 ohmios
MPG06K-E3/73	-	RFQ	3761	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
GSD2004S-E3-18	0.2800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	GSD2004	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	240 V	225 Ma	1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)
V10KL45DU-M3/I	0.3186	RFQ	5485	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn	V10KL45	Schottky		Flatpak 5x6 (dual)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	45 V	5A	560 MV @ 5 A		650 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C24-HE3-08	0.0436	RFQ	7510	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 18 V				24 V	80 ohmios
VS-VS19EDR16L	-	RFQ	2647	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS19				-				112-VS-VS19EDR16L			1
SRP100K-E3/73	-	RFQ	4542	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SRP100	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	10 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
BZG05C39-HM3-18	0.1172	RFQ	4936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.13%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C39		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 30 V				39 V	50 ohmios
GP10WE-M3/73	-	RFQ	4362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1500 V		1.3 V @ 1 A	3 µs	5 µA @ 1500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
Smzj3794bhe3_b/h	0.1508	RFQ	5290	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3794		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SMZJ3794BHE3_B/H	EAR99	8541.10.0050	750								5 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
VS-S880	-	RFQ	7334	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S880				-				112-VS-S880			1
VS-S743A	-	RFQ	9545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S743A				-				112-VS-S743A			1
BZX85B6V8-TAP	0.3800	RFQ	8707	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B6V8		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000								1 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
VS-43CTQ100-1HM3	1.6926	RFQ	6120	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	43ctq100	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V10K150CHM3/I	0.3666	RFQ	4122	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10K150CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	3A	1.08 v @ 5 a		200 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²