SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
FEP16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16HT-E3/45 1.5700
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 FEP16 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 500 V 16A 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C
V15K100C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K100C-M3/H 0.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 4.2a 690 MV @ 7.5 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF1650HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1650HE3/45 -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada MBRF16 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VX60M60C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M60C-M3/P 1.0395
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Vx60m Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VX60M60C-M3/P EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 660 MV @ 30 A 600 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
SML4761A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4761A-E3/5A 0.1815
RFQ
ECAD 9532 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4761 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 56 V 75 V 175 ohmios
UGB8JCT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8JCT-E3/81 -
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab UGB8 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 4A 1.75 v @ 4 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C39P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C39P-E3-08 0.1492
RFQ
ECAD 5980 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD17C39 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V
SMZJ3794BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3794bhm3/h -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ37 1.5 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 12.2 V 16 V 10 ohmios
SMBZ5921B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5921B-M3/52 0.1906
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBZ5921 550 MW DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 Ma 200 µA @ 5.2 V 6.8 V 2.5 ohmios
MMSZ5227B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5227B-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 2059 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5227 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
TZM5238B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5238B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5238 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
TZX6V8D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx6v8d-tap 0.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Cinta de Corte (CT) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx6v8 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 3.5 V 6.8 V 15 ohmios
BZT52B6V8-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B6V8-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 1513 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52B6V8 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 3 V 6.8 V 4.5 ohmios
BAV21W-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV21W-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 BAV21 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 150 V 175 ° C (Máximo) 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
VS-S1255 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1255 -
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1255 - 112-VS-S1255 1
MMBZ5231B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5231B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
VS-S1063 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1063 -
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1063 - 112-VS-S1063 1
BZX584C4V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C4V3-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzx584c Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Bzx584c 200 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 3 µA @ 1 V 4.3 V 80 ohmios
1N5241C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5241 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
SML4752A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4752A-E3/5A 0.1815
RFQ
ECAD 7657 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4752 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 25.1 V 33 V 45 ohmios
GDZ22B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ22B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Gdz Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ22 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 17 V 22 V 100 ohmios
1N4748A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4748A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4748 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
SML4763HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4763HE3_A/I 0.1434
RFQ
ECAD 1497 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4763 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
VI30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100SG-E3/4W 0.6986
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI30100 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BZX55B47-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B47-TAP 0.0271
RFQ
ECAD 9490 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55B47 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 36 V 47 V 110 ohmios
BZX84B2V4-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B2V4-HE3-08 0.2600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B2V4 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
VI40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40M120C-M3/4W 1.2418
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI40M120 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 890 MV @ 20 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C
VS-80-7848 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7848 -
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-7848 - 112-VS-80-7848 1
BYM07-150HE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-150HE3/98 -
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) BYM07 Estándar DO-213AA (GL34) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.25 V @ 500 Ma 50 ns 5 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
VS-8EWS10STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS10STRLPBF -
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 8ews10 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 8 a 50 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock