SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
GBU8KL-5301E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8KL-5301E3/51 -
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 8 a 5 µA @ 800 V 3.9 A Fase única 800 V
GBU8KL-5301M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8KL-5301M3/45 -
RFQ
ECAD 1967 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 8 a 5 µA @ 800 V 3.9 A Fase única 800 V
GSIB1520L-801E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1520L-801E3/45 -
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GSIB-5S GSIB1520 Estándar GSIB-5S - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 950 MV @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 3.5 A Fase única 200 V
MSS1P2L-E3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P2L-E3/89A -
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie MicroSMP MSS1P2 Schottky MicroSMP (DO-219AD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 250 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-S846 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S846 -
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S846 - 112-VS-S846 1
SMZJ3802B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3802B-E3/52 0.1546
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3802 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 27.4 V 36 V 38 ohmios
SMZJ3797BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3797bhm3_b/i 0.1500
RFQ
ECAD 9139 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3797 1.5 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-SMZJ3797BHM3_B/ITR EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
BZX55C5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C5V1-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C5V1 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 5.1 V 35 ohmios
BZX84B15-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B15-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX84-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B15 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
VLZ13B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ13B-GS18 -
RFQ
ECAD 4431 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ13 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 11.9 V 12.88 V 14 ohmios
TZX5V1D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx5v1d-tr 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial TZX5V1 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 100 ohmios
V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12p12hm3_a/h 0.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V12P12 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 830 MV @ 10 A 400 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.9a -
VS-30EPF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF06-M3 5.5000
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 30epf06 Estándar To47ac modificado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.41 v @ 30 a 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BZX384B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V1-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 3825 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B5V1 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
VLZ10C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10C-GS08 -
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ10 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 9.22 V 9.95 V 8 ohmios
BZX85B62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B62-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX85 Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85B62 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 25,000 500 na @ 47 V 62 V 125 ohmios
AZ23B9V1-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B9V1-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 7336 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23B9V1-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 500 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
BZD27C110P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C110P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27c Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27C110 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 82 V 110 V 250 ohmios
MMSZ4712-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4712-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2917 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4712 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 21.2 V 28 V
SD101CWS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CWS-G3-08 0.0612
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SD101 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 900 MV @ 15 Ma 1 ns 200 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 30mera 2.2pf @ 0V, 1MHz
TZM5226B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5226B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5226 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
TLZ10D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ10D-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ10 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 9.44 V 10 V 8 ohmios
SMZJ3806A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3806A-E3/5B -
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ38 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
BY251P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251P-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial BY251 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
GDZ5V6B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V6B-HG3-18 0.0509
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ5V6 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 µA @ 2.5 V 5.6 V 60 ohmios
SMPZ3940B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3940B-M3/84A 0.1027
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO220AA SMPZ3940 500 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
BZT03D36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D36-TR -
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5.56% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
SMZJ3788BHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3788bhm3/i -
RFQ
ECAD 7561 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ37 1.5 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 50 µA @ 7 V 9.1 V 4 ohmios
SS1P3LHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P3LHE3/84A -
RFQ
ECAD 4184 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q100, ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO220AA SS1P3 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
MMBZ5259C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5259C-G3-18 -
RFQ
ECAD 1881 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5259 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock