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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GDZ18B-HE3-08 | 0.2900 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ18 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65 ohmios | ||||||||||||||
BZX84B8V2-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84b8v2 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5253B-T | - | ![]() | 4376 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5253 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 600 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-HFA08PB60PBF | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To-247-2 | HFA08 | Estándar | To47ac modificado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 55 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | GDZ10B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Gdz | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ10 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZM55C33-TR | 0.2800 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55C33 | 500 MW | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 24 V | 33 V | 220 ohmios | |||||||||||||
![]() | BYT28F-400-E3/45 | - | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | ByT28 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
MMBZ5265B-G3-08 | - | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5265 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VFT1060C-M3/4W | 0.5399 | ![]() | 6372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VFT1060 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 5A | 700 MV @ 5 A | 700 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Rs3a-e3/9at | 0.2396 | ![]() | 6315 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3a | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BAT42W-G3-08 | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | BAT42 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 650 MV @ 50 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VB20100C-E3/8W | 1.9100 | ![]() | 791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB20100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 790 MV @ 10 A | 800 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
BZX84B16-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B16 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
MMBZ5250B-G3-18 | - | ![]() | 6784 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
![]() | S1flg-GS18 | 0.0512 | ![]() | 5730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1F | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 700mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZD17C11P-E3-08 | 0.1475 | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | ||||||||||||||
Bu1008a5s-e3/45 | - | ![]() | 1083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU1008 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
![]() | GDZ15B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Gdz | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ15 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TLZ12C-GS18 | 0.0335 | ![]() | 2543 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ12 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 11.2 V | 12 V | 12 ohmios | |||||||||||||
![]() | SML4757-E3/5A | 0.1733 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4757 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX384B43-HE3-18 | 0.2800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B43 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||
![]() | EGP30B-E3/54 | - | ![]() | 9917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
RMPG06JHE3/54 | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | RMPG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-16CTQ080-N3 | - | ![]() | 9707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 16CTQ080 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS16CTQ080N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 8A | 880 MV @ 16 A | 550 µA @ 80 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | BZT52C39-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C39 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 29 V | 39 V | 87 ohmios | ||||||||||||||
![]() | V3P6-M3/85A | 0.1213 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V3P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 630 MV @ 3 A | 900 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2.4a | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
MMBZ5243B-HE3-08 | - | ![]() | 4416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5243 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5235C-TR | 0.0288 | ![]() | 9403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5235 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 V | 5 ohmios | |||||||||||||
BZT52C3V0-HE3_A-18 | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52C3V0-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BAS282-GS18 | 0.0570 | ![]() | 7464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BAS282 | Schottky | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 200 V | 125 ° C (Máximo) | 30mera | 1.6pf @ 1v, 1 MHz |
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