SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MMSZ4696-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4696-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 6253 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4696 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 1 µA @ 6.9 V 9.1 V
V10P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P12-M3/86A 0.8900
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V10P12 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 820 MV @ 10 A 400 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZT52C51-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C51-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 9505 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C51 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 38 V 51 V 70 ohmios
1N5267C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5267C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 1561 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5267 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 56 V 75 V 270 ohmios
GDZ13B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ13B-E3-08 0.0360
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Gdz Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ13 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 10 V 13 V 37 ohmios
ZM4760A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4760A-GS18 0.1089
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) ZM4760 1 W DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZM4760AGS18 EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
BZG05B7V5-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B7V5-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 4.5 V 7.5 V 3 ohmios
VS-S1074 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1074 -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1074 - 112-VS-S1074 1
BYT56G-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt56g-tr 0.5148
RFQ
ECAD 1434 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial Byt56 Avalancha Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 v @ 3 a 100 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MCL103A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MCL103A-TR 0.3800
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-smd, sin plomo MCL103 Schottky Microma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 50pf @ 0v, 1 MHz
GLL4742-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4742-E3/97 0.2970
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf GLL4742 1 W Melf do-213ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
G5SBA80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA80-E3/45 1.0240
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU G5SBA80 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.05 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 2.8 A Fase única 800 V
1N4762A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4762A-TR -
RFQ
ECAD 8081 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4762 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
TZMC12-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC12-M-08 0.0324
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM-M Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC12 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
VS-25ETS12S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25ETS12S2LHM3 1.8458
RFQ
ECAD 2443 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar To-263ab (d²pak) descascar Alcanzar sin afectado 112-VS-25ETS12S2LHM3TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.14 v @ 25 a 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 25A -
MMSZ4688-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4688-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar 112-MMSZ4688-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 3 V 4.7 V
V3PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3pm10hm3/h 0.4100
RFQ
ECAD 396 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA V3PM10 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 560 MV @ 1.5 A 200 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 2.1a 300pf @ 4V, 1MHz
1N5061TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5061TAP 0.2376
RFQ
ECAD 2461 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial 1N5061 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 V @ 2.5 A 4 µs 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 40pf @ 0V, 1 MHz
BZX84C2V4-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C2V4-HE3_A-08 0.0498
RFQ
ECAD 5010 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-BZX84C2V4-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15,000 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
BZT03D12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D12-TR -
RFQ
ECAD 7855 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5.42% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 3 µA @ 9.1 V 12 V 7 ohmios
BZX384C6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 8968 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
VS-50WQ06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ06FNTRR-M3 0.3232
RFQ
ECAD 2275 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 50WQ06 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS50WQ06FNTRRM3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 570 MV @ 5 A 3 Ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 5.5a 360pf @ 5V, 1 MHz
MBRB10H100-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H100-E3/81 1.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB10 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 770 MV @ 10 A 4.5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
VS-66-8056 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-8056 -
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 66-8056 - 112-VS-66-8056 1
VS-UFB200CB40P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB200CB40P -
RFQ
ECAD 8146 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita UFB200 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VSUFB200CB40P EAR99 8541.10.0080 180 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 142a 1.34 V @ 100 A 136 ns 50 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-80-6547 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-6547 -
RFQ
ECAD 6428 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-6547 - 112-VS-80-6547 1
BZD17C6V8P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C6V8P-E3-18 0.1482
RFQ
ECAD 8239 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB Bzd17c6v8 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V
SS5P3HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P3HM3/86A -
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Ss5p3 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 520 MV @ 5 A 250 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 280pf @ 4V, 1 MHz
BZW03C100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C100-TAP -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZW03 Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sod-64, axial BZW03 1.85 W Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 75 V 100 V 90 ohmios
BZX55B43-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B43-TR 0.0271
RFQ
ECAD 7322 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55B43 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 33 V 43 V 90 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock