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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4937GPE-E3/91	-	RFQ	7800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4937	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-20TQ040SHM3	-	RFQ	3922	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-20TQ040SHM3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
2KBP04ML-6212E4/51	-	RFQ	8395	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	2KBP04	Estándar		KBPM	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600					1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 400 V		2 A		Fase única	400 V
VLZ30B-GS08	-	RFQ	1651	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ30		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 26.3 V						28.42 V	55 ohmios
MMBZ4622-E3-18	-	RFQ	7904	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4622		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 2 V						3.9 V	1650 ohmios
BZW03D110-TAP	-	RFQ	4910	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 82 V						110 V	125 ohmios
BY500-100-E3/54	-	RFQ	6681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY500	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.35 v @ 5 a	200 ns	10 µA @ 100 V	125 ° C (Máximo)	5A	28pf @ 4V, 1MHz
PLZ20A-G3/H	0.3200	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ20		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					900 MV @ 10 Ma		200 na @ 15 V						20 V	28 ohmios
UG10DCThe3/45	-	RFQ	8996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG10	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4705-E3-18	0.0360	RFQ	5992	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4705		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 13.6 V						18 V
VS-VS24ASR04M	-	RFQ	4273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24Asr04m			1
MMSZ4686-HE3-18	0.0378	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4686		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 2 V						3.9 V
VS-80-1320PBF	-	RFQ	7492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto					VS-80				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		112-VS-80-1320PBF	EAR99	8541.10.0080	25
VS-80-7847	-	RFQ	1915	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7847				-				112-VS-80-7847			1
DF06SA-E3/45	0.6600	RFQ	6060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF06	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 600 V		1 A		Fase única	600 V
VS-VS24DLR12LS15	-	RFQ	8944	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24DLR12LS15			1
2W10G-E4/51	0.8200	RFQ	5387	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	2W10	Estándar		Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000					1.1 v @ 2 a		5 µA @ 1000 V		2 A		Fase única	1 kV
GBL08-M3/45	0.8804	RFQ	7080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBL08	Estándar		GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000					1 v @ 2 a		10 µA @ 800 V		4 A		Fase única	800 V
V1fl45-m3/i	0.0592	RFQ	5163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V1FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V1FL45-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		530 MV @ 1 A		250 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	190pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16P-E3-18	0.1475	RFQ	1165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12 V						16 V	15 ohmios
Esh2pbhe3/85a	-	RFQ	1265	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
BZG04-62-HM3-08	0.2079	RFQ	3079	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-62		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 62 V						75 V
G2SBA60L-5701E3/45	-	RFQ	5350	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-	-	-	G2SBA60	-		-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1											-
Smzj3804bhm3_a/i	-	RFQ	5605	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3804		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 32.7 V						43 V	53 ohmios
BZG05B22-HM3-08	0.2079	RFQ	7957	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B22		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 16 V						22 V	25 ohmios
BZT52B4V7-HE3-18	0.0436	RFQ	8001	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B4V7		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													4.7 V	78 ohmios
VS-88-7323	-	RFQ	5002	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					88-7323				-				112-VS-88-7323			1
BZX584C9V1-VG-08	-	RFQ	2797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c-vg	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							500 na @ 6 V						9.1 V	15 ohmios
GL41KHE3/97	-	RFQ	4843	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GL41KHE3_A/I	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
NSB8MT-E3/81	1.0400	RFQ	530	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²