SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
VS-T70HF80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HF80 28.4620
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-55 T-Módulo T70 Estándar D-55 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 15 Ma @ 800 V 70a -
BZT52B3V3-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52B3V3 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3.3 V 95 ohmios
VLZ7V5A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ7V5A-GS08 -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ7V5 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 7.04 V 8 ohmios
BZX84C9V1-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C9V1-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 1192 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-BZX84C9V1-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
VS-150SQ030TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS -50SQ030TR -
RFQ
ECAD 8728 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204ar, axial 150SQ030 Schottky Do-204ar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VS150SQ030TR EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 540 MV @ 15 A 1.75 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 900pf @ 5V, 1 MHz
BZD27C160P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C160P-M3-08 0.1733
RFQ
ECAD 7528 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZD27-M Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27C160 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 160 V 350 ohmios
VI20150SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20150SGHM3/4W -
RFQ
ECAD 7859 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI20150 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.6 V @ 20 A 200 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZW03D16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D16-TR -
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZW03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sod-64, axial BZW03 1.85 W Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 11.6 V 16 V 2.5 ohmios
TZX9V1D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx9v1d-tr 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx9v1 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 6.8 V 9.1 V 20 ohmios
BZD17C13P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C13P-E3-18 0.1482
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V
ESH1PBHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PBHE3/85A -
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO220AA ESH1 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 1 A 25 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1 MHz
V3F6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3f6hm3/i 0.0875
RFQ
ECAD 3185 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB V3F6 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 600 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A 310pf @ 4V, 1MHz
ES2GHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es2ghe3/5bt -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 2 a 50 ns 10 µA @ 400 V -50 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
VLZ22B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ22B-GS18 -
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ22 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 19.6 V 20.64 V 30 ohmios
PB3010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB3010-E3/45 3.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos isocink+™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, PB PB3010 Estándar isocink+™ pb descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 1000 V 30 A Fase única 1 kV
RGP02-12EHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12EHE3/73 -
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP02 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 100 Ma 300 ns 5 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
BYV26E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv26e-tap 0.7200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial BYV26 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2.5 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
UH4PBCHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh4pbchm3_a/i 0.3816
RFQ
ECAD 9973 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN UH4 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.05 v @ 2 a 25 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 21pf @ 4V, 1 MHz
TZQ5228B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5228B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 TZQ5228 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
RS1PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1PG-M3/84A 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA Rs1p Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MBRF1545CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1545CT-E3/45 1.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1545 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 7.5a 570 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZT52C4V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C4V7-HE3_A-18 0.0533
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 300 MW SOD-123 descascar 112-BZT52C4V7-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 1 V 4.7 V 78 ohmios
GBPC1005/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1005/1 -
RFQ
ECAD 1448 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-1 GBPC1005 Estándar GBPC1 descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
SMZG3790B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3790B-E3/52 0.2407
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMZG3790 1.5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 10 µA @ 8.4 V 11 V 6 ohmios
RGL41MHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41MHE3/96 -
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) RGL41 Estándar DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MI3045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MI3045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 8183 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MI3045 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
1N5235B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5235B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5235 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
TZMC36-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC36-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC36 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
GDZ10B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ10B-HG3-18 0.0523
RFQ
ECAD 1223 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ10 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 7 V 10 V 30 ohmios
1N4001GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4001 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock