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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ESH1PCHE3/84A | - | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ESH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZG05C4V7-E3-TR | - | ![]() | 5088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 13 ohmios | |||||||||||
![]() | S1PJ-M3/84A | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BA604-GS18 | - | ![]() | 2660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BA604 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 50 Ma | 20 ns | 50 na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | VBT6045C-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT6045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 640 MV @ 30 A | 3 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-VSKE91/06 | 36.6640 | ![]() | 5885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKE91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKE9106 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 10 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | BZX384B10-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B10 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | SMZJ3797AHE3/52 | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | ||||||||||||
MMBZ5259C-HE3-18 | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5259 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | SS19-M3/61T | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS19 | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | - | 1A | - | ||||||||||||
![]() | VS-8etX06Strpbf | - | ![]() | 9690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 8etx06 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs8etx06Strpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 8 A | 17 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||
![]() | 1N4003GP-E3/73 | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4003 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZM55C33-TR3 | 0.2800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55C33 | 500 MW | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 24 V | 33 V | 220 ohmios | |||||||||||
MMBZ4703-G3-18 | - | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4703 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 12.1 V | 16 V | ||||||||||||||
![]() | RGP15K-E3/73 | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | RGP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | TLZ33D-GS18 | 0.0335 | ![]() | 2133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ33 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 29.9 V | 33 V | 65 ohmios | |||||||||||
![]() | TZMB2V7-GS08 | 0.3100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmb2v7 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-ETU3006S-M3 | 1.9100 | ![]() | 184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ETU3006 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSETU3006SM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 70 A | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||
![]() | TZMB47-GS08 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMB47 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 110 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-12FL10S02 | 4.5774 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FL10 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 v @ 12 a | 200 ns | 50 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||
![]() | SS8P2CLHM3/86A | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS8P2 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 4A | 540 MV @ 4 A | 300 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | ZMM5238B-13 | - | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | ZMM52 | 500 MW | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5238B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | VLZ15B-GS08 | - | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ15 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 13.2 V | 14.26 V | 16 ohmios | |||||||||||
MMBZ5229B-HE3-18 | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5229 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||||
![]() | ESH2PD-M3/84A | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
UF5408-E3/54 | 0.6000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UF5408 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 36pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4936GP-M3/54 | - | ![]() | 5633 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4936 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Bzg03b200tr3 | - | ![]() | 7354 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||
![]() | RGP10DEHE3/53 | - | ![]() | 6821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N5621GPHE3/54 | - | ![]() | 1162 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5621 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 1 a | 300 ns | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz |
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