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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GLL4755-E3/96	0.3053	RFQ	2105	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4755		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500								5 µA @ 32.7 V						43 V	70 ohmios
V15pm45-m3/h	0.8600	RFQ	2503	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15pm45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 15 A		700 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	3000PF @ 4V, 1MHz
BZX55A20-TAP	-	RFQ	9304	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 15 V						20 V	55 ohmios
VS-50PF160W	4.9245	RFQ	6100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pf160	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50PF160W	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.5 V @ 125 A			-55 ° C ~ 160 ° C	50A	-
AZ23B36-HE3-18	0.0534	RFQ	9147	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B36		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 27 V						36 V	90 ohmios
MMBZ4622-G3-08	-	RFQ	4937	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4622		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 2 V						3.9 V	1650 ohmios
MMBZ5252C-E3-18	-	RFQ	1444	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5252		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 18 V						24 V	33 ohmios
SB350-E3/54	0.5900	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB350	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		680 MV @ 3 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
30CTH02	-	RFQ	8656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	30cth	Estándar		Un 220-3	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CTH02	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
RGP5100HE3/73	-	RFQ	6252	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Axial	RGP51	Estándar		Axial	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V					-	500mA	-
FESF16JT-E3/45	2.1000	RFQ	998	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF16	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VLZ24-GS08	-	RFQ	2261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ24		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma								24 V	35 ohmios
AZ23B5V6-E3-08	0.0509	RFQ	9674	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B5V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 1 V						5.6 V	40 ohmios
BZT52C27-E3-18	0.0360	RFQ	2864	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C27		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 20 V						27 V	30 ohmios
S5MHE3/57T	-	RFQ	1684	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S5M	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.15 v @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
BAS16WS-E3-08	0.2200	RFQ	44	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAS16	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1.25 V @ 150 Ma	6 ns	1 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
SA2J-M3/5AT	0.0717	RFQ	3741	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Sa2	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 2 a	1.5 µs	3 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11PF @ 4V, 1MHz
BZT03D8V2-TAP	-	RFQ	3378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6.1%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000						1.2 V @ 500 Ma		600 µA @ 6.2 V						8.2 V	2 ohmios
BZT52B3V3-G3-18	0.0501	RFQ	1671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B3V3		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000														3.3 V	80 ohmios
VS-VSKE71/14	36.5930	RFQ	7691	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE71	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske7114	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V				10 Ma @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	80A	-
20TQ035Strl	-	RFQ	4762	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
Tzx8v2a-tap	0.0287	RFQ	6685	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx8v2		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V						8.2 V	20 ohmios
KBP08M-9E4/51	-	RFQ	1997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	KBP08	Estándar		KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600						1.3 V @ 1.57 A		5 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
SL43HE3/57T	-	RFQ	2740	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SL43	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		420 MV @ 4 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	4A	-
Fes8hthe3/45	-	RFQ	6789	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-4EWH02FN-M3	0.8200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	4ewh02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-4EWH02FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 4 A	20 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
VLZ10B-GS18	-	RFQ	4422	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ10		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 8.94 V						9.66 V	8 ohmios
BZX84B27-HE3-18	0.0341	RFQ	5957	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B27		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 18.9 V						27 V	80 ohmios
W06G-E4/1	-	RFQ	1291	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog		Estándar		Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000						1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		1.5 A		Fase única	600 V
VI10150S-M3/4W	0.5516	RFQ	9303	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI10150	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²