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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VBT4060C-E3/4W	1.2317	RFQ	6906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT4060	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	620 MV @ 20 A		6 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX55A20-TAP	-	RFQ	9304	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 15 V				20 V	55 ohmios
VS-50PF160W	4.9245	RFQ	6100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pf160	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50PF160W	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.5 V @ 125 A			-55 ° C ~ 160 ° C	50A	-
BAT83S-TR	0.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAT83	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		60 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 60 V	125 ° C (Máximo)	30mera	1.6pf @ 1v, 1 MHz
S1AFJ-M3/6B	0.0858	RFQ	7044	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	S1a	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	1.47 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7.9pf @ 4V, 1MHz
FEPB16JT-E3/81	1.7300	RFQ	758	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	8A	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V60200PG-E3/45	-	RFQ	2067	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	V60200	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	30A	1.48 V @ 30 A		200 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
AZ23B3V9-HE3_A-18	-	RFQ	6459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23B3V9-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							3 µA @ 1 V				3.9 V	90 ohmios
V3FL45-M3/H	0.3700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		580 MV @ 3 A		750 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	370pf @ 4V, 1MHz
Zpy36-tap	0.3700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy36		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 27 V				36 V	25 ohmios
V2fm10hm3/h	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V2FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 2 A		55 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	150pf @ 4V, 1 MHz
BZX384B75-HE3-18	0.0378	RFQ	5032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B75		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios
BAQ335-TR3	-	RFQ	1407	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BAQ335	Estándar		Microma	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		125 V		1 V @ 100 Ma		1 na @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	3PF @ 0V, 1MHz
MMBZ4685-G3-08	-	RFQ	1637	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4685		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								7.5 µA @ 2 V				3.6 V
VX6045C-M3/P	1.9300	RFQ	4162	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX6045C-M3/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	590 MV @ 30 A		900 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT03D110-TAP	-	RFQ	1883	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5.45%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 82 V				110 V	250 ohmios
ES2A-M3/52T	0.1379	RFQ	9666	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2A	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		900 MV @ 2 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	18pf @ 4V, 1 MHz
B130-E3/5AT	0.4000	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	B130	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		520 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
VS-ETU1506Strl-M3	0.7542	RFQ	3111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	ETU1506	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsetu1506strlm3	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.07 v @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
PLZ39D-G3/H	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ39		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 30 V				39 V	85 ohmios
VS-SD1053C18S20L	137.5767	RFQ	6513	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD1053	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1800 V		1.9 V @ 1500 A	2 µs	50 mA @ 1800 V		1050A	-
1N4948GP-E3/73	-	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4948	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	1 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
V15pm45-m3/h	0.8600	RFQ	2503	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15pm45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 15 A		700 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	3000PF @ 4V, 1MHz
SS36HE3_A/H	-	RFQ	9557	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SS36	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		750 MV @ 3 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-6FLR20S02	5.5151	RFQ	9943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR20	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
GLL4755-E3/96	0.3053	RFQ	2105	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4755		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500								5 µA @ 32.7 V				43 V	70 ohmios
TZX20C-TR	0.2300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx20		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 15 V				20 V	60 ohmios
UF1007-E3/54	0.1691	RFQ	5775	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF1007	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
SL23HE3/5BT	-	RFQ	4720	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL23	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		440 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BZX84B36-G3-18	0.0389	RFQ	3798	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B36		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 25.2 V				36 V	90 ohmios

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Diodos (29505)

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