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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GLL4763A-E3/96	0.3256	RFQ	3569	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4763		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500								5 µA @ 69.2 V				91 V	250 ohmios
GP15K-E3/54	0.6300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4V, 1 MHz
SML4748HE3/5A	-	RFQ	6639	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4748		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
SS22-E3/52T	0.4500	RFQ	740	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS22	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BAQ133-GS18	-	RFQ	6107	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BAQ133	Estándar		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		1 V @ 100 Ma		1 na @ 15 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	3PF @ 0V, 1MHz
BZT52C6V8-G3-18	0.0409	RFQ	1804	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C6V8		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 3 V				6.8 V	4.5 ohmios
TZMC24-GS18	0.2300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC24		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V				24 V	80 ohmios
UGB5HT-E3/81	-	RFQ	9165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB5	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.75 v @ 5 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Smaz5945b-e3/5a	0.1150	RFQ	1227	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5945		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 51.7 V				68 V	120 ohmios
SS5P6-M3/86A	0.6200	RFQ	67	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS5P6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		690 MV @ 5 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	200pf @ 4V, 1MHz
SB120-E3/54	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB120	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		480 MV @ 1 A		500 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZD27B130P-HE3-18	0.1238	RFQ	1176	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B130		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 100 V				130 V	300 ohmios
V12P10-E3/87A	-	RFQ	2220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12P10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		700 MV @ 12 A		250 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
AZ23C33-E3-18	0.0415	RFQ	7862	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C33		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 25 V				33 V	80 ohmios
Byw85tr	0.5445	RFQ	3251	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYW85	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1 v @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5619GP-E3/73	-	RFQ	9075	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5619	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	250 ns	500 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-6FL80S05	5.7283	RFQ	1644	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FL80	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.4 v @ 6 a	500 ns	50 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
VS-8EWF02STRLPBF	-	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWF02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)				1.2 v @ 8 a	200 ns		-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
U1B-M3/61T	0.0865	RFQ	8390	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	U1B	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.8pf @ 4V, 1MHz
BYT28B-300-E3/45	-	RFQ	4817	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	ByT28	Estándar		Un 263ab	descascar			Alcanzar sin afectado	112-byt28b-300-e3/45	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 150 ° C
TZMB39-GS08	0.3100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB39		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 30 V				39 V	90 ohmios
1N5230C-TAP	0.0339	RFQ	4296	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5230		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				4.7 V	19 ohmios
AZ23C22-HE3_A-08	-	RFQ	4808	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23C22-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							50 na @ 15.4 V				22 V	55 ohmios
301ur80	-	RFQ	1595	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	301ur80	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*301ur80	EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.22 v @ 942 a		15 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
129NQ135	-	RFQ	9335	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	129NQ135	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*129NQ135	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		135 V		1.07 V @ 120 A		3 Ma @ 135 V		120a	3000PF @ 5V, 1MHz
MSE07PDHM3/89A	0.3500	RFQ	6796	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	MSE07	Estándar		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.08 V @ 700 Ma	780 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	700mA	-
BZX384B27-E3-18	0.0360	RFQ	8441	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B27		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 18.9 V				27 V	80 ohmios
VSSAF512HM3/H	0.4800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF512	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		880 MV @ 5 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	360pf @ 4V, 1MHz
VS-5ECU06-M3/9AT	0.9000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	5ECU06	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.35 v @ 5 a	43 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BZX84C56-E3-18	0.0306	RFQ	9683	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C56		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²