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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GBPC3510-E4/51	5.9600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC3510	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 A		Fase única	1 kV
KBL01-E4/51	2.2400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBL	KBL01	Estándar		KBL	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300					1.1 v @ 4 a		5 µA @ 100 V		4 A		Fase única	100 V
MB2S-E3/45	0.5100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-269AA, 4-besop	MB2	Estándar		TO-269AA (MBS)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	100					1 V @ 400 Ma		5 µA @ 200 V		500 mA		Fase única	200 V
W01G-E4/1	-	RFQ	6628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog		Estándar		Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1.5 A		Fase única	100 V
W08G-E4/51	0.8200	RFQ	516	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	W08	Estándar		Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
SS3P4L-M3/86A	0.6200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss3p4	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		470 MV @ 3 A		250 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	280pf @ 4V, 1 MHz
VF20100S-E3/45	-	RFQ	3765	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF20100	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VF20100S-E3/45GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-3EYH02HM3/I	0.5400	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	3eyh02	Estándar		Slimsmaw (DO-221AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 3 A	30 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-1EQH01HM3/H	0.4100	RFQ	8845	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	1EQH01	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		970 MV @ 1 A	23 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	6pf @ 200V
VS-1EQH02-M3/H	0.3900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	1EQH02	Estándar		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		970 MV @ 1 A	23 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	6pf @ 200V
Ss2h10hm3_a/i	0.1510	RFQ	7165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS2H10	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SS2H10HM3_A/ITR	EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		790 MV @ 2 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
VS-45APS08L-M3	-	RFQ	7482	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	45APS08	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-45APS08L-M3	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.14 V @ 45 A		100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	45a	-
V40D45C-M3/I	2.1400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V40D45	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	570 MV @ 20 A		2.5 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETH03STRRHM3	1.0444	RFQ	4126	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	8eth03	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-vs-8eth03strRHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-8ETH03SHM3	0.9290	RFQ	8945	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	8eth03	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-vs-8eth03shm3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-42CTQ030SL-M3H	-	RFQ	2846	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			-	-	42CTQ030	-		-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-42CTQ030SL-M3H	EAR99	8541.10.0080	800	-	-		-				-
VS-30CTH02STRLHM3	2.5900	RFQ	670	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTH02	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-18TQ045StrlHM3	1.3679	RFQ	6651	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	18TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-18TQ045StrlHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 18 A		2.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	1400pf @ 5V, 1MHz
SMZG3804B-M3/5B	0.4615	RFQ	9986	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Mpg06, axial	SMZG3804		1.5 W	Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SMZG3804B-M3/5BTR	EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 32.7 V						43 V	53 ohmios
VS-15eth03Strrhm3	1.1846	RFQ	3712	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15eth03	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-15eth03StrrHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 V @ 15 A	40 ns	40 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
V2P6XHM3/H	0.4400	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 2 A		100 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	240pf @ 4V, 1MHz
V2P6L-M3/H	0.4000	RFQ	302	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		600 MV @ 2 A		480 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2A	255pf @ 4V, 1 MHz
V3P6L-M3/H	0.3700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		450 MV @ 1.5 A		900 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2.3a	450pf @ 4V, 1 MHz
V3p22hm3/h	0.4900	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3P22	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		940 MV @ 3 A		50 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1.7a	120pf @ 4V, 1MHz
V2PL45LHM3/H	0.4400	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PL45	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		530 MV @ 2 A		300 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2A	390pf @ 4V, 1MHz
V2pm6lhm3/h	0.4400	RFQ	969	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PM6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		630 MV @ 2 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	250pf @ 4V, 1 MHz
V2PL45L-M3/H	0.4000	RFQ	744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PL45	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		530 MV @ 2 A		300 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2A	390pf @ 4V, 1MHz
V3PM6-M3/H	0.3700	RFQ	18	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PM6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		500 MV @ 1.5 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.4a	400pf @ 4V, 1 MHz
V3PL45-M3/H	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PL45	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		540 MV @ 3 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	550pf @ 4V, 1MHz
SE60PWDCHM3/I	0.2985	RFQ	1192	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SE60	Estándar		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SE60PWDCHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 3 a	1.2 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	22pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²