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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VLZ27A-GS08	-	RFQ	1524	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ27		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 23 V				24.89 V	45 ohmios
BZW03C150-TR	-	RFQ	2685	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 110 V				150 V	330 ohmios
BZG05B27-M3-08	0.1980	RFQ	3289	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B27		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 20 V				27 V	30 ohmios
MB3035S-E3/4W	-	RFQ	2819	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MB3035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		700 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	30A	980pf @ 4V, 1MHz
LL42-GS18	0.0733	RFQ	4277	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL42	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		650 MV @ 50 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
VS-6EVH06HM3/I	0.8800	RFQ	3247	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6EVH06	Estándar		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 v @ 6 a	28 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	-
TLZ15B-GS08	0.2500	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ15		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 13.2 V				15 V	16 ohmios
TLZ6V8C-GS08	0.2500	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ6V8		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	8 ohmios
BZX84C24-E3-08	0.2300	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C24		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							50 na @ 16.8 V				24 V	70 ohmios
GP10M-5400M3/73	-	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
25ctq035s	-	RFQ	3207	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*25CTQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GP10JHM3/73	-	RFQ	2511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SB3H100HE3/54	-	RFQ	3533	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB3H100	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 3 A		20 µA @ 100 V	175 ° C (Máximo)	3A	-
Rs1pd-e3/85a	-	RFQ	6059	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
SE20PBHM3/85A	0.1048	RFQ	3800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE20	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.05 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	13PF @ 4V, 1MHz
S1MHE3_A/I	0.4200	RFQ	98	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1M	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
MMSZ5257C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	2800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5257C-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
VS-MBR6045WTPBF	-	RFQ	7107	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	MBR60	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	620 MV @ 30 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4715-E3-18	0.0360	RFQ	6380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4715		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 na @ 27.3 V				36 V
GI508-E3/54	0.1709	RFQ	5423	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI508	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 9.4 A	2 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
LL103A-GS08	0.4400	RFQ	6759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL103	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 30 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
VS-30CTQ045Strl-M3	1.7000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
S3M-M3/9AT	0.1549	RFQ	7929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3M	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
V20150C-M3/4W	0.8037	RFQ	2225	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V20150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C5V1-G3-08	0.2700	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C5V1		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
TLZ3V9-GS18	0.0335	RFQ	7763	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ3V9		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma						3.9 V	50 ohmios
VS-E5PH7506LHN3	4.9700	RFQ	400	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	VS-E5	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH7506LHN3	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 75 A	57 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
VS-30WQ06FNTRL-M3	0.2721	RFQ	2177	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ06	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30WQ06FNTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		610 MV @ 3 A		2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	145pf @ 5V, 1MHz
BZX384B43-HE3-08	0.0378	RFQ	3480	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B43		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 30.1 V				43 V	150 ohmios
BZG05C12-HM3-18	0.1172	RFQ	3184	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.42%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C12		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 9.1 V				12 V	9 ohmios

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Unidad de producto estándar
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