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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Baq335-TR | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BAQ335 | Estándar | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 100 Ma | 1 na @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZM55B3V3-TR | 0.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55B3V3 | 500 MW | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 600 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-STPS20L15GTRRP | - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STPS20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSTPS20L15GTRRP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 520 MV @ 40 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
MMBZ4691-HE3-18 | - | ![]() | 9091 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4691 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | ||||||||||||||
![]() | SML4757HE3_A/H | 0.1658 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4757 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | ||||||||||||
![]() | VSSB420S-M3/52T | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SB420 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.9 v @ 4 a | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.8a | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-30WQ04FNTRL-M3 | 0.6400 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 189pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VLZ10C-GS18 | - | ![]() | 1121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ10 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 9.22 V | 9.95 V | 8 ohmios | |||||||||||
MMBZ5238C-G3-18 | - | ![]() | 5009 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5238 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | |||||||||||||
VS-100BGQ045 | 4.3500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Powertab ™, Powirtab ™ | 100BGQ045 | Schottky | POWIRTAB ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 730 MV @ 100 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | |||||||||||
![]() | ZM4754A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4754 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | Zpy68-tr | 0.0545 | ![]() | 7754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Zpy68 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Zpy68tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 na @ 51 V | 68 V | 65 ohmios | |||||||||||
![]() | BAV21WS-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 9685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZD27C22P-M3-08 | 0.1500 | ![]() | 1817 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C22 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16 V | 22 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | Sblb25l30cthe3_b/i | 1.0395 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB25L30 | Schottky | Un 263ab | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-SBLB25L30CThe3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 12.5a | 490 MV @ 12.5 A | 900 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-6CWH02FNHM3 | 0.9943 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 6CWH02 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS6CWH02FNHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 1.2 v @ 6 a | 19 ns | 5 µA @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||
![]() | BZD27C47P-E3-08 | 0.4100 | ![]() | 4503 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C47 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-16CTQ060-1HM3 | 0.8712 | ![]() | 1871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 16CTQ060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 8A | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | BZD17C100P-E3-18 | 0.1597 | ![]() | 5810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C100 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | ||||||||||||
![]() | SMZJ3792AHE3/52 | - | ![]() | 2907 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 7.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-6FLR80S05 | 5.7283 | ![]() | 4702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 6FLR80 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 v @ 6 a | 500 ns | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||||
![]() | ES1PA-E3/85A | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
BAT54A-HE3-18 | 0.3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | Bzg03b180tr3 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 130 V | 180 V | 400 ohmios | ||||||||||||
BZX84B39-E3-08 | 0.0318 | ![]() | 5998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B39 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||||
![]() | RGP02-16EHE3/53 | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||
![]() | VS-SD400C16C | 67.5358 | ![]() | 2493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AA, A-PUK | SD400 | Estándar | DO-200AA, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.86 V @ 1930 A | 15 Ma @ 1600 V | 800A | - | |||||||||||
![]() | Rs1pghm3/85a | - | ![]() | 6898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Ssa23lhe3_a/i | 0.1304 | ![]() | 3966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
UG06C-E3/54 | - | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | UG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 600 Ma | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9PF @ 4V, 1MHz |
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