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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-S1076	-	RFQ	4639	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1076				-				112-VS-S1076			1
BZX84C3V0-HE3-08	0.0323	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V0		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								10 µA @ 1 V						3 V	95 ohmios
Z4ke170-E3/54	-	RFQ	5406	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Z4ke170		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5.500								500 na @ 122.4 V						170 V	1200 ohmios
VS-VS24DLR12LS15	-	RFQ	8944	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24DLR12LS15			1
VS-80-7371	-	RFQ	1452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7371				-				112-VS-80-7371			1
V1fl45-m3/i	0.0592	RFQ	5163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V1FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V1FL45-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		530 MV @ 1 A		250 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	190pf @ 4V, 1MHz
BY500-100-E3/54	-	RFQ	6681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY500	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.35 v @ 5 a	200 ns	10 µA @ 100 V	125 ° C (Máximo)	5A	28pf @ 4V, 1MHz
PLZ20A-G3/H	0.3200	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ20		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 15 V						20 V	28 ohmios
VS-VS24ASR04M	-	RFQ	4273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24Asr04m			1
MMSZ4705-E3-18	0.0360	RFQ	5992	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4705		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 13.6 V						18 V
UG10DCThe3/45	-	RFQ	8996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG10	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
RGP10ME-M3/73	-	RFQ	9084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-MURD620CTTRLPBF	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Murd620	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	3A	1 v @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-10CTQ150-M3	1.1700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	10ctq150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 10 a		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4686-HE3-18	0.0378	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4686		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 2 V						3.9 V
VS-80-1320PBF	-	RFQ	7492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto					VS-80				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		112-VS-80-1320PBF	EAR99	8541.10.0080	25
DF06SA-E3/45	0.6600	RFQ	6060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF06	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 v @ 1 a		5 µA @ 600 V		1 A		Fase única	600 V
VS-10ETF06SLHM3	2.0700	RFQ	135	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Ar1fg-m3/i	0.4500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 1 a	140 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12.6pf @ 4V, 1MHz
1N4762A-TAP	-	RFQ	4218	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4762		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V						82 V	200 ohmios
BZX55B43-TR	0.0271	RFQ	7322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B43		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V						43 V	90 ohmios
AZ23B39-HE3-08	0.0534	RFQ	8773	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B39		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 29 V						39 V	90 ohmios
TZQ5234B-GS18	0.0303	RFQ	1191	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5234		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 4 V						6.2 V	7 ohmios
VS-30CTQ050-M3	0.7933	RFQ	7473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	30CTQ050	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	15A	820 MV @ 30 A		800 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
TZMB5V1-GS08	0.3100	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB5V1		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V						5.1 V	60 ohmios
DFL1510S-E3/45	0.7900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1510	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		1.5 A		Fase única	1 kV
VS-VS30EDR20L	-	RFQ	2230	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS30				-				112-VS-VS30EDR20L			1
GBU4B-E3/51	1.9500	RFQ	1408	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBU4BE351	EAR99	8541.10.0080	250						1 v @ 4 a		5 µA @ 100 V		3 A		Fase única	100 V
GBL08-M3/45	0.8804	RFQ	7080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBL08	Estándar		GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000						1 v @ 2 a		10 µA @ 800 V		4 A		Fase única	800 V
GBU8K-E3/45	2.1400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU8	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20						1 v @ 8 a		5 µA @ 800 V		3.9 A		Fase única	800 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
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Unidad de producto estándar
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Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

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15,000 m2

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