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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | VS-S837A | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S837A | - | 112-VS-S837A | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-73-4790 | - | ![]() | 7282 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-73-4790 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3803BHE3/52 | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZW03C75-TAP | - | ![]() | 1578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 56 V | 75 V | 45 ohmios | |||||||||||
![]() | SA2B-M3/5AT | 0.0717 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Sa2 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 2 a | 1.5 µs | 3 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZT52A15-E3-18 | - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
BAW56-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw56 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 70 V | 250 Ma | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 Ma @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | S1flg-GS18 | 0.0512 | ![]() | 5730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1F | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 700mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZX384C20-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C20 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||
![]() | VX20202C-M3/P | 0.9224 | ![]() | 9657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VX20202C-M3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 840 MV @ 10 A | 50 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | TY056S200S6OT | - | ![]() | 6118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | TY056 | Schottky | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 3 a | 60 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | MBR20H100CThe3/45 | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR20 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VF20150C-E3/4W | 1.9500 | ![]() | 895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VF20150 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 1.2 v @ 10 a | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZX384B8V2-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZG05C91-E3-TR3 | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 68 V | 91 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-80-7908 | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-7908 | - | 112-VS-80-7908 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS12P2LHM3/87A | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS12P2 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 560 MV @ 12 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 930pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | EGP10G-E3/73 | - | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | CS2D-E3/H | - | ![]() | 5374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | CS2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | GP10NE-M3/54 | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1100 V | 1.2 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBR4035PT-E3/45 | 1.4972 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR4035 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 40A | 800 MV @ 40 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | V10km100chm3/h | 0.3549 | ![]() | 8758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V10KM100CHM3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 4.2a | 740 MV @ 5 A | 200 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | V15K150C-M3/I | 0.4320 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V15K150C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 3.2a | 1.08 V @ 7.5 A | 300 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-80-5339 | - | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-5339 | - | 112-VS-80-5339 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S1PKHE3/85A | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Rs2dhe3_a/h | 0.1650 | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Rs2d | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CS1M-E3/H | - | ![]() | 6399 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CS1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.12 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-12CTQ035Strl-M3 | 0.8094 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12CTQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 6A | 600 MV @ 6 A | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-60CTQ035-M3 | 1.4522 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 60ctq035 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 30A | 720 MV @ 60 A | 2 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 10etf06s | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10etf06 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 10 a | 145 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - |
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