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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | HFA90NH40 | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 Half-Pak | HFA90 | Estándar | D-67 Half-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *HFA90NH40 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 90 A | 140 ns | 6 µA @ 400 V | 90A | - | ||||||||||
BZT52B33-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B33-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | UB30BCT-E3/8W | - | ![]() | 1481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UB30 | Estándar | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 1.05 v @ 15 a | 45 ns | 20 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | US1AHE3/5AT | - | ![]() | 2981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | V10PM10-M3/H | 0.2723 | ![]() | 4062 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V10PM10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 10 A | 120 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||
![]() | BYM12-150HE3/97 | - | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | BYM12 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-74-7323 | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 74-7323 | - | 112-VS-74-7323 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS103B-GS08 | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | LS103 | Schottky | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | - | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | EGP10F-E3/73 | - | ![]() | 6393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SS25HE3/52T | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS25 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | TZM5265C-GS18 | - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5265 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD27C4V7P-HE3-18 | 0.1561 | ![]() | 5786 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C4V7 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 7 ohmios | ||||||||||||
BZX84C11-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 8123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C11-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Z4ke200-E3/73 | - | ![]() | 4901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke200 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 144 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZM5249C-GS18 | - | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5249 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4763A-T | - | ![]() | 9311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4763 | 1.3 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 3000 ohmios | |||||||||||||
![]() | Smzj3789bhm3_a/h | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3789 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||||||
SRP300B-E3/54 | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Srp300 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Tzx3v9c-tap | 0.2300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta de Corte (CT) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX3V9 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | PTV3.9B-E3/84A | - | ![]() | 8386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV3.9 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 1 V | 4.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
MMBZ5257C-G3-08 | - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZT55B8V2-GS08 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55B8V2 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZG05B6V8-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Bzg05b6v8 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | EGP31D-E3/C | 0.8118 | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | EGP31 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 117pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BY253P-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY253 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | TZM5250C-GS08 | - | ![]() | 4872 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5250 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | GF1G-E3/67A | 0.4900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | GF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | BZD27B39P-E3-08 | 0.1155 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B39 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohmios | ||||||||||||
AZ23C13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C13 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | BAV17-TR | 0.2300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAV17 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 20 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz |
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