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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-VSKE270-08 | - | ![]() | 9655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKE270 | Estándar | Magn-A-Pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 270a | - | ||||||||||||||
AZ23B39-G3-08 | 0.0594 | ![]() | 6897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B39 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 29 V | 39 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-MUR1620CT-M3 | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MUR1620 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8A | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-MBR4045CT-1PBF | - | ![]() | 3180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | MBR40 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 600 MV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | BZT52C4V3-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 4.3 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
AZ23C27-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C27 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 20 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | VF20200G-E3/4W | 1.5400 | ![]() | 2100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VF20200 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | TZMC2V4-GS18 | 0.0303 | ![]() | 2321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc2v4 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 85 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-MBRS340-M3/9AT | 0.4200 | ![]() | 4905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | MBRS340 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 230pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Rs3bhe3/9at | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZX584C6V8-HG3-08 | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX584C | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG05C5V1-E3-TR | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 1.5 V | 5.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
BZX84B36-E3-08 | 0.0318 | ![]() | 8984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B36 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
UH5JT-E3/4W | - | ![]() | 6489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UH5 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 5 A | 40 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | VS-45LR40 | 38.7000 | ![]() | 5965 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje | DO-205AC, DO-30, Stud | 45LR40 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AC (DO-30) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.33 v @ 471 a | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4755A-TAP | 0.0533 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4755 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-30CTQ040SHM3 | 1.2877 | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 30CTQ040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
MMBZ5247C-E3-18 | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5255B-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 1546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5255 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZM5257C-GS08 | - | ![]() | 9999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5257 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBR3045CT | - | ![]() | 8775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR30 | Schottky | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 760 MV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | TLZ7V5A-GS08 | 0.0335 | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ7V5 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 7.5 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | V30K170-M3/I | 0.8006 | ![]() | 9280 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V30K170-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 170 V | 1.04 v @ 30 a | 150 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 165 ° C | 3.4a | 1250pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
DZ23C13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-8EWS16Strl-M3 | 1.6338 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ews16 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs8ews16strlm3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.1 v @ 8 a | 50 µA @ 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | TZM5237B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5237 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD27C30P-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C30 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | TZQ5227B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZQ5227 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||
![]() | GDZ5V1B-HG3-08 | 0.0451 | ![]() | 8512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ5V1 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 1 V | 5.1 V | 100 ohmios | |||||||||||||
BZT52B36-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 9266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B36-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 87 ohmios |
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