Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGB8HT-E3/45 | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | Un 263ab | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-AGB8HT-E3/45 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.75 v @ 8 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | AS1PDHM3/85A | 0.3630 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | V6KM45DU-M3/I | 0.2478 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | V6km45 | Schottky | Flatpak 5x6 (dual) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 3A | 610 MV @ 3 A | 150 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | SS1P3-E3/84A | - | ![]() | 1750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Rs1dhe3/5at | - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SML4735A-E3/5A | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4735 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD27C15P-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-3C16ET07T-M3 | 7.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-VS-3C16ET07T-M3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 16 A | 0 ns | 85 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16A | 700pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV303-TR | 0.2700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BAV303 | Estándar | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 15MQ040N | - | ![]() | 1163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 15MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | V10pm10-m3/i | 0.2723 | ![]() | 8694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V10PM10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 10 A | 120 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | VS-20AWT04-E3 | - | ![]() | 4254 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 20AWT04 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS24CLR08LS10 | - | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS24 | - | 112-VS-VS24CLR08LS10 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GP15G-E3/73 | - | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1.5 A | 3.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | VS-240U80DM16 | 49.5000 | ![]() | 4149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 240U80 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.33 V @ 750 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | |||||||||||||
![]() | Byg20jhm3_a/i | 0.1568 | ![]() | 3316 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 V @ 1.5 A | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | VS-12F100M | 8.5474 | ![]() | 6131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12F100 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS12F100M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.47 V @ 600 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | MBR30H90CT-E3/45 | - | ![]() | 8863 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR30 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 5 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-VS30CSR16L | - | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS30 | - | 112-VS-VS30CSR16L | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs3dhe3/57t | - | ![]() | 1973 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Rs1jhe3_a/h | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RS1J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-60CPU02-N3 | 8.2500 | ![]() | 144 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60CPU02 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 30A | 1.1 V @ 30 A | 30 ns | 50 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | TZMC11-GS08 | 0.2300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc11 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.2 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | V2fm10hm3/i | 0.0825 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V2FM10 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 830 MV @ 2 A | 55 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | V20K150-M3/H | 0.3320 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V20K150-M3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.41 v @ 20 a | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.1A | 970pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VX40120C-M3/P | 0.9323 | ![]() | 2623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VX40120C-M3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 830 MV @ 20 A | 600 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BAS34-TR | 0.0429 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAS34 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 60 V | 1 V @ 100 Ma | 1 na @ 30 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | RGP10AE-M3/54 | - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | RGP10 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | V8PM153HM3/H | 0.2637 | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V8PM153HM3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 870 MV @ 8 A | 100 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | 470pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYV29B-400-E3/81 | - | ![]() | 4830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV29 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock