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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-30CTQ035STRLHM3 | 1.4476 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 30CTQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-8etu04strRHM3 | 0.9655 | ![]() | 2220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 8etu04 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 43 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | S2mhe3_a/i | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2M | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SML4759HE3/5A | - | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4759 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||
![]() | SS5P4-M3/87A | 0.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | TZM5257B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5257 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-303CNQ100PBF | 54.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | TO-244AB | 303CNQ100 | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS303CNQ100PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 150a | 1.09 v @ 300 A | 4.5 Ma @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||
![]() | MBRB20100CT | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | V20DL63CHM3/I | 1.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DL63 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 610 MV @ 10 A | 180 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Irkd91/04a | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | Irkd91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 400 V | 100A | 10 Ma @ 400 V | ||||||||||||
![]() | MMSZ5248C-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||
![]() | US1B-E3/5AT | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1B | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Uh6pd-m3h/i | - | ![]() | 9001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 6 a | 40 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | ES1PAHE3/84A | - | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | UGB5HT-E3/45 | - | ![]() | 7696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UGB5 | Estándar | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.75 v @ 5 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-10ETF12STRLPBF | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10ETF12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs10etf12strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.33 v @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||
BZX584C13-G3-08 | 0.3000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZM5266B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5266 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | |||||||||||
![]() | BYM07-300-E3/83 | 0.1513 | ![]() | 2212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZT03C22-TAP | 0.2970 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5.68% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C22 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 16 V | 22 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | SBL25L30CT-E3/45 | 0.9697 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SBL25L30 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 12.5a | 490 MV @ 12.5 A | 900 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | S8PJ-M3/H | 0.2187 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S8PJ | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-S8PJ-M3/HTR | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 8 a | 5 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SE40NGHM3/I | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 4 a | 1.2 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 24pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZX84C56-G3-18 | 0.0353 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C56 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-HFA06PB120-N3 | 5.8800 | ![]() | 2371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | HFA06 | Estándar | To47ac modificado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-HFA06PB120-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3 V @ 6 A | 80 ns | 5 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||
RMPG06DHE3_A/54 | 0.1327 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | RMPG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-G489ur | - | ![]() | 3121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-G489ur | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1fld-m3/h | 0.3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | V20PW45-M3/I | 0.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V20PW45 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 610 MV @ 20 A | 1.5 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | 3000PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5260B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5260 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios |
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