RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V15pm12hm3/h	0.9600	RFQ	1957	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15pm12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		840 MV @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	-
SE10PGHM3/84A	0.1045	RFQ	3623	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE10	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.05 v @ 1 a	780 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N5247B-TAP	0.0287	RFQ	4936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5247		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 13 V				17 V	19 ohmios
BZX384C51-HE3-08	0.0341	RFQ	6894	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C51		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
BAT46W-G3-18	0.4000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	BAT46	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 250 Ma		5 µA @ 75 V	125 ° C (Máximo)	150 Ma	6pf @ 1v, 1 MHz
GP15JHE3/73	-	RFQ	6472	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
Rs3b-m3/57t	0.1850	RFQ	7643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Rs3b	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 2.5 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	34pf @ 4V, 1MHz
VB20M120C-E3/4W	0.7202	RFQ	4777	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20M120	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	10A	910 MV @ 10 A		700 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-249NQ150PBF	44.6200	RFQ	6445	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	249NQ150	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS249NQ150PBF	EAR99	8541.10.0080	20	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.21 V @ 240 A		6 Ma @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	240a	6000PF @ 5V, 1MHz
VS -50EBU04HF4	9.1800	RFQ	744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Monte del Chasis	POWERTAB®	150ebu04	Estándar		POWERTAB®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 150 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	150a	-
VS-VSKE270-12PBF	149.9550	RFQ	8295	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKE27012PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V				50 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	270a	-
VS-STPS30L30CGTRRP	-	RFQ	5515	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stps30	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSSTPS30L30CGTRRP	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	460 MV @ 15 A		1.5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4937GP-M3/73	-	RFQ	4986	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4937	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-3EYH02-M3/I	0.4100	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	3eyh02	Estándar		Slimsmaw (DO-221AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 3 A	30 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5226B-TR	0.2300	RFQ	72	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5226		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
BZT55B16-GS08	0.0433	RFQ	5661	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B16		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 12 V				16 V	40 ohmios
VS-15EVH06-M3/I	1.2200	RFQ	1403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15Evh06	Estándar		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 v @ 15 a	30 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
DTV32B-E3/81	-	RFQ	2911	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	DTV32	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1500 V		1.5 V @ 6 A	175 ns	100 µA @ 1500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZX55C3V6-TAP	0.2300	RFQ	44	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C3V6		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				3.6 V	85 ohmios
V20PW60C-M3/I	1.0700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PW60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	640 MV @ 10 A		1.5 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
CSA2J-E3/H	-	RFQ	6128	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	CSA2	Estándar		DO-214AC (SMA)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 v @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	11PF @ 4V, 1MHz
SMZJ3794BHE3/52	-	RFQ	4385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750							5 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
V3nm63hm3/i	0.5400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Monte de superficie, Flanco Humectable	2-vdfn	V3NM63	Schottky		DFN3820A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		630 MV @ 3 A		10 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.2a	560pf @ 4V, 1MHz
1N5622GP-E3/73	-	RFQ	6816	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5622	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	500 na @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 12V, 1 MHz
VBT5202-M3/4W	1.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT5202	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		880 MV @ 5 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BZX85C36-TR	0.3800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C36		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 27 V				36 V	40 ohmios
Ugf15hthe3/45	-	RFQ	1075	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF15	Estándar		ITO-220AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.75 V @ 15 A	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	-
SS2P4HE3/85A	-	RFQ	4530	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Ss2p4	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 2 A		150 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
VS-S941	-	RFQ	2020	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S941				-				112-VS-S941			1
SB560L-5705E3/72	-	RFQ	1496	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB560	Schottky		Do-201ad	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		650 MV @ 5 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²