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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS36HE3_A/H | - | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS36 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | VS-ETL1506STRRHM3 | 1.1423 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ETL1506 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.07 v @ 15 a | 210 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | GP10DEHE3/54 | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS29HE3_A/H | 0.1942 | ![]() | 1569 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS29 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 950 MV @ 3 A | 30 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||
![]() | VS-15CTQ035-N3 | - | ![]() | 6659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 15CTQ035 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS15CTQ035N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 800 µA @ 35 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | S3khe3_a/h | 0.1910 | ![]() | 8112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BZX84B3V9-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 8980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V9 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-16CTU04-M3 | 1.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 16ctu04 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 8A | 1.3 V @ 8 A | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-8CSH02-M3/87A | 0.3189 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 8CSH02 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 4A | 950 MV @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | Z4ke110AHE3/73 | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke110 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 500 Ma | 500 na @ 83.2 V | 110 V | 600 ohmios | ||||||||||||
![]() | ES2A-M3/52T | 0.1379 | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2A | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 900 MV @ 2 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 18pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-5EWH06FNTR-M3 | 0.8500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 5ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.85 v @ 5 a | 25 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | VS-VSKE71/14 | 36.5930 | ![]() | 7691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKE71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvske7114 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 10 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||
AZ23B2V7-HE3_A-08 | - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23B2V7-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | V8PAM12HM3/I | 0.5600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma | V8PAM12 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 880 MV @ 8 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | 730pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | V10PM12HM3_A/H | 0.3858 | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V10PM12 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 830 MV @ 10 A | 400 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.9a | - | |||||||||||
![]() | 1N5234C-TAP | 0.0288 | ![]() | 6502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5234 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | TZMB7V5-GS08 | 0.3100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmb7v5 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-30CPQ100PBF | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30CPQ10 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 860 MV @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BZX55A18-TAP | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 18 V | 50 ohmios | ||||||||||||
VS-100BGQ100 | 4.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Powertab ™, Powirtab ™ | 100BGQ100 | Schottky | POWIRTAB ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.04 v @ 100 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 100A | - | ||||||||||||
AZ23B6V8-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 1513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B6V8 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-12CWQ04FN-M3 | 0.9000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-12CWQ04FN-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 530 MV @ 6 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VLZ3V3B-GS18 | - | ![]() | 1548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ3V3 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.43 V | 70 ohmios | ||||||||||||
![]() | VI60100C-E3/P | 0.9075 | ![]() | 8685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Schottky | Un 262-3 | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VI60100C-E3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 790 MV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | VS-12FL40S05 | 5.4736 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FL40 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 v @ 12 a | 500 ns | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | SS34-7001HE3_A/I | - | ![]() | 4860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | DO-214AB (SMCJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | Z4KE150AHE3/54 | - | ![]() | 7181 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke150 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.500 | 1 V @ 500 Ma | 500 na @ 113.6 V | 150 V | 1000 ohmios | ||||||||||||
![]() | GP10VE-M3/73 | - | ![]() | 4418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Uh3bhe3_a/h | 0.2640 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | UH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - |
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