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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
TLZ3V6B-GS18	0.0335	RFQ	5834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ3V6		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				3.6 V	60 ohmios
VS-VSKE270-20	-	RFQ	2497	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V						270a	-
BYV29B-300-E3/81	-	RFQ	2742	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BYV29	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
GI2402HE3/45	-	RFQ	3182	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	GI2402	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	16A	975 MV @ 8 A	35 ns	50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-62CTQ030-M3	2.7600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	62CTQ030	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	30A	600 MV @ 60 A		2.5 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-MUR1020CT-M3	0.8300	RFQ	967	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MUR1020	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.25 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZX55B39-TAP	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B39		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 30 V				39 V	90 ohmios
MBRB16H35HE3/45	-	RFQ	9582	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB16	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		660 MV @ 16 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
FGP50B-E3/54	-	RFQ	6857	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	FGP50	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 5 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	100pf @ 4V, 1 MHz
SD153R08S10PV	-	RFQ	2259	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AC, DO-30, Stud	SD153	Estándar		DO-205AC (DO-30)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*SD153R08S10PV	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.55 V @ 470 A	1 µs	35 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 125 ° C	150a	-
BZG05C6V8-HE3-TR3	-	RFQ	2201	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
S1dhe3_a/i	0.4200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
BZX384B75-HE3-18	0.0378	RFQ	5032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B75		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios
VS-300UR20A	46.7158	RFQ	3847	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	300ur20	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 V @ 942 A		40 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
VS-20ETF06FP-M3	3.6000	RFQ	2634	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	20etf06	Estándar		To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.67 v @ 60 a	160 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
TZQ5256B-GS08	0.0303	RFQ	7441	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5256		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 23 V				30 V	49 ohmios
VB60120C-E3/8W	2.5500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB60120	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	30A	950 MV @ 30 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BYM11-600-E3/97	0.4300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZT03C200-TAP	0.6400	RFQ	805	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 6%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C200		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V				200 V	500 ohmios
GP08G-E3/54	0.1780	RFQ	6288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP08	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 800 Ma	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	800mA	-
FGP50che3/73	-	RFQ	5428	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	FGP50	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 5 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	100pf @ 4V, 1 MHz
SE30AFJHM3/6B	0.1350	RFQ	2751	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE30	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19PF @ 4V, 1MHz
VS-40HFL40S02	12.3400	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40hfl40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.95 V @ 40 A	200 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
V1fm10hm3/i	0.0651	RFQ	2967	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V1FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V1FM10HM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		770 MV @ 1 A		50 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	95pf @ 4V, 1 MHz
VS-45EPF06L-M3	2.3983	RFQ	9899	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	45epf06	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.31 V @ 45 A	180 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	45a	-
VS-16CTQ080S-M3	1.7500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-80EBU04	5.9000	RFQ	327	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Powertab ™, Powirtab ™	80Ebu04	Estándar		POWIRTAB ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 80 A		50 µA @ 400 V		80A	-
1N4729A-TR	0.3700	RFQ	34	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4729		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
BZX384C51-G3-08	0.0389	RFQ	2158	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C51		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
VS-20ETS12PBF	-	RFQ	5813	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	20ets12	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 V @ 20 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²