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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
V8KM60DU-M3/H	0.5600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	8-Powertdfn	V8KM60	Schottky	Flatpak 5x6 (dual)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	60 V	8A	640 MV @ 4 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SS1P3L-M3/85A	0.4900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO220AA	SS1P3	Schottky	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		450 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
VS-G1956EF	-	RFQ	4432	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			G1956EF			-				112-VS-G1956EF			1
FEPF16CT-E3/45	-	RFQ	4394	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	FEPF16	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
EGP10CEHE3/54	-	RFQ	5543	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
V3nm153hm3/i	0.4200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo	Monte de superficie, Flanco Humectable	2-vdfn	V3NM153	Schottky	DFN3820A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		970 MV @ 3 A		35 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1.8a	160pf @ 4V, 1MHz
V20PWM10C-M3/I	1.0500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM10	Schottky	Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	820 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-70HFL100S05M	22.8068	RFQ	8397	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL100	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFL100S05M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.85 V @ 219.8 A	500 ns		-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
VS-1N3766R	11.7500	RFQ	3900	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3766	Polaridad Inversa Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.8 V @ 110 A		4 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
MBRB20100CT-E3/8W	1.8400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20100	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Ss26he3_a/i	0.5300	RFQ	7652	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS26	Schottky	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	-
SS5P5-E3/86A	-	RFQ	4721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS5P5	Schottky	TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		690 MV @ 5 A		150 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
S4PGHM3/87A	-	RFQ	4494	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4P	Estándar	TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
1N4004GPEHE3/54	-	RFQ	8279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4004	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	In4004gpehe3/54	EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
MBRB10H60-E3/81	-	RFQ	8614	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		710 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
VS-40CTQ150STRR-M3	1.2713	RFQ	4505	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	40ctq150	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	20A	930 MV @ 20 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VSD3913R	-	RFQ	3064	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Descontinuado en sic	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	VSD3913	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V						30A	-
SE20PB-M3/84A	0.4800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO220AA	SE20	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.05 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	13PF @ 4V, 1MHz
GURB5H60-E3/45	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Gurb5	Estándar	To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 5 A	30 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V3nl63-m3/i	0.4800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo	Monte de superficie, Flanco Humectable	2-vdfn	V3NL63	Schottky	DFN3820A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		580 MV @ 3 A		60 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2.1a	580pf @ 4V, 1MHz
1N5817-E3/53	0.5500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5817	Schottky	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		750 MV @ 3.1 A		1 ma @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	125pf @ 4V, 1 MHz
VS-8EWF02STRL-M3	2.0160	RFQ	4561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWF02	Estándar	D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWF02STRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 8 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VB20100S-M3/4W	0.7209	RFQ	4545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20100	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Ss3p6hm3/84a	0.3700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO220AA	SS3P6	Schottky	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		780 MV @ 3 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1 MHz
VB30M120C-M3/I	1.0205	RFQ	3281	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB30M120	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VB30M120C-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	15A	980 MV @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GP10-4004E-E3/54	0.1840	RFQ	3001	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V					-	1A	-
S4pghm3_b/i	-	RFQ	2430	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4pg	Estándar	TO77A (SMPC)	descascar				112-S4PGHM3_B/ITR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
V10K150CHM3/H	0.3666	RFQ	6451	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky	Flatpak (5x6)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10K150CHM3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	3A	1.08 v @ 5 a		200 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SS5P5HM3/86A	-	RFQ	4921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS5P5	Schottky	TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		690 MV @ 5 A		150 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	200pf @ 4V, 1MHz
VS-VS24CLR08LS15	-	RFQ	9627	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			VS24			-				112-VS-VS24CLR08LS15			1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
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Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

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15,000 m²