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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLZ3V9-GS18 | 0.0335 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ3V9 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 3.9 V | 50 ohmios | ||||||||||||
![]() | Esh2che3_a/i | 0.1576 | ![]() | 9921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ESH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RGP10J-M3/73 | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RGP30ML-6888E3/72 | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | Rgp30 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ045StrrPBF | - | ![]() | 2940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15CTQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 30WQ10FNTRR | - | ![]() | 2129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 810 MV @ 3 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | - | ||||||||||
![]() | VS-MUrB1020CT-1PBF | - | ![]() | 3111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Murb1020 | Estándar | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 990 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | BZG05C9V1-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C9V1 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.8 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-U5FH150FA60 | 24.4400 | ![]() | 158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | VS-U5FH | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-U5FH150FA60 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 75a (DC) | 1.7 V @ 75 A | 70 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
![]() | Ar3pghm3_a/h | 0.4950 | ![]() | 7395 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AR3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.6 v @ 3 a | 140 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-2EGH02HM3/5BT | - | ![]() | 5829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 2EGH02 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS2EGH02HM35BT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 2 A | 21 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | ||||||||
![]() | Ar1fm-m3/i | 0.0889 | ![]() | 6555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Avalancha | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-AR1FM-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9.3pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-50PFR120 | 5.3444 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 50PFR120 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS50PFR120 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.4 V @ 125 A | -55 ° C ~ 180 ° C | 50A | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5232C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 3410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||
MPG06B-E3/100 | 0.1487 | ![]() | 4306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | Mpg06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SS1P6LHE3/85A | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 590 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VS-6ESH01-M3/87A | 0.2609 | ![]() | 2368 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 6esh01 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 940 MV @ 6 A | 22 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||
![]() | UH2C-E3/5BT | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | UH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | |||||||||
![]() | V6KL45DU-M3/I | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | V6kl45 | Schottky | Flatpak 5x6 (dual) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 6A | 540 MV @ 3 A | 450 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-HFA320NJ40CPBF | 56.8300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | TO-244AB | HFA320 | Estándar | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 420a | 1.54 V @ 320 A | 140 ns | 3 Ma @ 400 V | ||||||||||
![]() | S1AFM-M3/6B | 0.0858 | ![]() | 9731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S1a | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.47 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | By268tap | 0.2772 | ![]() | 2683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BY268 | Estándar | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.25 V @ 400 Ma | 400 ns | 2 µA @ 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | - | |||||||||
![]() | V20DM63CHM3/I | 1.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM63 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 660 MV @ 10 A | 20 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | V10KL45CHM3/I | 0.3703 | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V10KL45CHM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 5.2a | 540 MV @ 5 A | 1.6 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Uh6pdhm3_a/i | - | ![]() | 5026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 6 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Rs3AHE3/9at | - | ![]() | 8617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SL22HE3_A/I | 0.2030 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SL22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 395 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-80-6049 | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-6049 | - | 112-VS-80-6049 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-UFB60FA20P | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | UFB60 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSUFB60FA20P | EAR99 | 8541.10.0080 | 180 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 30A | 1.08 V @ 30 A | 31 ns | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MMSZ5236C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 2882 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5236C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios |
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