SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TLZ3V9-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V9-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ3V9 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 3.9 V 50 ohmios
ESH2CHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Esh2che3_a/i 0.1576
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ESH2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 930 MV @ 2 A 25 ns 2 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
RGP10J-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-M3/73 -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RGP30ML-6888E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30ML-6888E3/72 -
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * Cinta y Caja (TB) Obsoleto Rgp30 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000
VS-15CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045StrrPBF -
RFQ
ECAD 2940 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 15CTQ045 Schottky To-263ab (d²pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 700 MV @ 15 A 800 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
30WQ10FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30WQ10FNTRR -
RFQ
ECAD 2129 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 30WQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 810 MV @ 3 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a -
VS-MURB1020CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUrB1020CT-1PBF -
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Murb1020 Estándar Un 262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 990 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
BZG05C9V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C9V1-HM3-08 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05C9V1 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 6.8 V 9.1 V 5 ohmios
VS-U5FH150FA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-U5FH150FA60 24.4400
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita VS-U5FH Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-U5FH150FA60 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 75a (DC) 1.7 V @ 75 A 70 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
AR3PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar3pghm3_a/h 0.4950
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AR3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.6 v @ 3 a 140 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1 MHz
VS-2EGH02HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EGH02HM3/5BT -
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB 2EGH02 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS2EGH02HM35BT EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 2 A 21 ns 2 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
AR1FM-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar1fm-m3/i 0.0889
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Avalancha DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-AR1FM-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.6 v @ 1 a 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9.3pf @ 4V, 1MHz
VS-50PFR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50PFR120 5.3444
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 50PFR120 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS50PFR120 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.4 V @ 125 A -55 ° C ~ 180 ° C 50A -
MMSZ5232C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5232 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohmios
MPG06B-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06B-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 4306 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Mpg06, axial Mpg06 Estándar Mpg06 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS1P6LHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P6LHE3/85A -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q100, ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO220AA SS1P6 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 590 MV @ 1 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-6ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6ESH01-M3/87A 0.2609
RFQ
ECAD 2368 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN 6esh01 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 940 MV @ 6 A 22 ns 2 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
UH2C-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2C-E3/5BT -
RFQ
ECAD 3420 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB UH2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 2 a 35 ns 2 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a -
V6KL45DU-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6KL45DU-M3/I 0.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn V6kl45 Schottky Flatpak 5x6 (dual) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 6A 540 MV @ 3 A 450 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA320NJ40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA320NJ40CPBF 56.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis TO-244AB HFA320 Estándar TO-244AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 420a 1.54 V @ 320 A 140 ns 3 Ma @ 400 V
S1AFM-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFM-M3/6B 0.0858
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S1a Estándar DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
BY268TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division By268tap 0.2772
RFQ
ECAD 2683 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial BY268 Estándar Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.25 V @ 400 Ma 400 ns 2 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA -
V20DM63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM63CHM3/I 1.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Cinta de Corte (CT) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete V20DM63 Schottky TO-263AC (SMPD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 660 MV @ 10 A 20 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
V10KL45CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10KL45CHM3/I 0.3703
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar Alcanzar sin afectado 112-V10KL45CHM3/ITR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 5.2a 540 MV @ 5 A 1.6 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
UH6PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh6pdhm3_a/i -
RFQ
ECAD 5026 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN UH6 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 6 a 25 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS3AHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs3AHE3/9at -
RFQ
ECAD 8617 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 2.5 A 150 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1 MHz
SL22HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL22HE3_A/I 0.2030
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SL22 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 395 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
VS-80-6049 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-6049 -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-6049 - 112-VS-80-6049 1
VS-UFB60FA20P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB60FA20P -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita UFB60 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VSUFB60FA20P EAR99 8541.10.0080 180 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 30A 1.08 V @ 30 A 31 ns 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5236C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 2882 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar 112-MMSZ5236C-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock