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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VSSAF3M10-M3/I	0.1188	RFQ	1259	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF3M10	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		720 MV @ 3 A		200 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	364pf @ 4V, 1MHz
GP10-4004-E3/53	-	RFQ	1992	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
GP10AE-M3/54	-	RFQ	1352	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
151CMQ035	-	RFQ	6330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-249AA (Modificado), D-60	151cmq	Schottky		D-60	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*151CMQ035	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	150a	920 MV @ 150 A		5 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V12p45hm3_a/h	0.9500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12P45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		580 MV @ 12 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
Irkd196/16	-	RFQ	5671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	Irkd196	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	195a			20 Ma @ 1600 V
MMSZ5226C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5226C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
As4pghm3_a/i	0.6386	RFQ	7808	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 4 a	1.8 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
1N4151W-G3-18	0.0409	RFQ	2362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	1N4151	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
V2PM12-M3/H	0.3900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		980 MV @ 2 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2a	140pf @ 4V, 1MHz
VS-VS24ASR04M	-	RFQ	4273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24Asr04m			1
BY254P-E3/54	0.4700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY254	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
225CMQ015	-	RFQ	1167	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Pestaña aislada de To-244ab	225cmq	Schottky		To-244ab (aislado)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*225CMQ015	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	110A	380 MV @ 110 A		40 mA @ 15 V	-55 ° C ~ 150 ° C
30CPQ030	-	RFQ	4262	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30cpq	Schottky		To47ac	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CPQ030	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	540 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
ESH2PD-E3/84A	-	RFQ	6528	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	25pf @ 4V, 1 MHz
SS10PH9-M3/87A	0.3595	RFQ	3201	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10PH9	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		880 MV @ 10 A		10 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	270pf @ 4V, 1MHz
MPG06K-E3/53	0.1487	RFQ	8693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-HFA70EA120	55.9586	RFQ	6220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	HFA70	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-HFA70EA120GI	EAR99	8541.10.0080	160	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1200 V	35A (DC)	3 V @ 30 A	145 ns	75 µA @ 1200 V
VS-VSKE270-20	-	RFQ	2497	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V						270a	-
SL04-M3-08	0.1238	RFQ	4815	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SL04	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 1.1 A	10 ns	20 µA @ 40 V	175 ° C (Máximo)	1.1a	65pf @ 4V, 1 MHz
VS-MUrB1620CTRHM3	1.2210	RFQ	8391	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1620	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsmurb1620CTRHM3	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	8A	975 MV @ 8 A	20 ns	250 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
EGP51F-E3/C	0.8126	RFQ	8650	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	EGP51	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	48pf @ 4V, 1 MHz
VSSAF3M6-M3/I	0.1188	RFQ	8344	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Saf3m6	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		620 MV @ 3 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	500pf @ 4V, 1MHz
Nsf8jththththe 45	-	RFQ	6750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	NSF8	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
AS1PGHM3/84A	0.3630	RFQ	5547	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	AS1	Avalancha		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 1.5 A	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	10.4pf @ 4V, 1MHz
ESH2PD-E3/85A	-	RFQ	6520	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-100BGQ045	4.3500	RFQ	375	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Powertab ™, Powirtab ™	100BGQ045	Schottky		POWIRTAB ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		730 MV @ 100 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	100A	-
BYQ28E-150HE3/45	-	RFQ	9102	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	BYQ28	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-6FLR20S02	5.5151	RFQ	9943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR20	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
VS-16CTQ080Strl-M3	0.9083	RFQ	4364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²