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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4006-E3/73	0.4300	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4006	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
FEPF16BT-E3/45	-	RFQ	2444	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	FEPF16	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GDZ6V2B-E3-18	0.0360	RFQ	2486	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ6V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1 µA @ 3 V				6.2 V	60 ohmios
BZT55C6V2-GS18	0.0283	RFQ	6501	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C6V2		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 2 V				6.2 V	10 ohmios
TZMC9V1-M-08	0.0324	RFQ	9121	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmc9v1		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 6.8 V				9.1 V	10 ohmios
AR1FM-M3/H	0.3800	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.6 v @ 1 a	120 ns	1 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9.3pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5226B-E3-18	0.0360	RFQ	2323	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5226		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							25 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
70U120D	-	RFQ	9459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	70U120	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.3 V @ 785 A		60 mA @ 1200 V	-40 ° C ~ 200 ° C	250a	-
SBL25L30CThe3/45	-	RFQ	9506	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL25L30	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	12.5a	490 MV @ 12.5 A		900 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA16TA60CSR-M3	0.6417	RFQ	2258	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	8a (DC)	2.1 v @ 16 a	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BYM10-800HE3/96	-	RFQ	4271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym10	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BYM10-800HE3_A/H	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-6CSH01-M3/87A	0.2701	RFQ	1812	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6CSH01	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	3A	940 MV @ 3 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Rs1g-m3/5at	0.0682	RFQ	7603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1g	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VLZ4V3A-GS18	-	RFQ	4406	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	Vlz4v3		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V				4.17 V	40 ohmios
VS-32CTQ0303TRLPBF	-	RFQ	2676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	32CTQ030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
8AF05RPP	-	RFQ	7695	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-47	8AF05	Estándar		B-47	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*8AF05RPP	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V				7 Ma @ 50 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
GL34JHE3/83	-	RFQ	9145	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GL34JHE3_A/I	EAR99	8541.10.0070	9,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-62CTQ030-M3	2.7600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	62CTQ030	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	30A	600 MV @ 60 A		2.5 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VF40120C-E3/4W	1.6828	RFQ	9903	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF40120	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	20A	880 MV @ 20 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG05B5V6-HE3-TR3	-	RFQ	1851	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1.96%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 2 V				5.6 V	7 ohmios
SE15PGHM3/84A	0.3600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE15	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	9.5pf @ 4V, 1MHz
BZM55B51-TR	0.0433	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B51		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 µA @ 39 V				51 V	700 ohmios
VS-16CTU04STRR-M3	0.5995	RFQ	8899	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16ctu04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Irke196/08	-	RFQ	5098	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (2)	Irke196	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irke196/08	EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V				20 Ma @ 800 V		195a	-
1N4748A-T	-	RFQ	8112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4748		1.3 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 V	750 ohmios
10etf04strl	-	RFQ	6317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 10 a	145 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N5267C-TR	0.0288	RFQ	1561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5267		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
P600G-E3/73	0.9000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	P600	Estándar		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
BYM13-20HE3/97	-	RFQ	6905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	BYM13	Schottky		GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BYM13-20HE3_A/I	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
MBRF1645HE3/45	-	RFQ	4703	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1645	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	MBRF1645HE3_A/P	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²