SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N3087R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3087R -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Montaje DO-205AC, DO-30, Stud 1N3087 Estándar DO-205AC (DO-30) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *1N3087R EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.2 V @ 150 A 17 Ma @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
HFA16TB120STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division Hfa16tb120strl -
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HFA16 Estándar To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3 V @ 16 A 135 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRB1650HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1650HE3/81 -
RFQ
ECAD 2394 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB16 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
1N5393-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393-E3/54 0.3700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5393 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 200 V -50 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
BZT55A9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A9V1-GS08 -
RFQ
ECAD 1184 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 BZT55 500 MW Césped-80 cuádromal - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
FGP10C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP10C-E3/54 -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FGP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 2 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1 MHz
VS-S1132A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1132A -
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1132A - 112-VS-S1132A 1
BAT46-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bate46-tap 0.4300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAT46 Schottky DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 250 Ma 5 µA @ 75 V 125 ° C (Máximo) 150 Ma 6pf @ 1v, 1 MHz
BY127MGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY127MGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial BY127 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1250 V 1.5 V @ 5 A 2 µs 5 µA @ 1250 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.75a -
AR4PM-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PM-M3/87A 0.4373
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Ar4 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 4 a 120 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 55pf @ 4V, 1 MHz
19TQ015STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19TQ015Strr -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 19TQ015 Schottky To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 15 V 360 MV @ 19 A 1.5 Ma @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C 19A -
LS4151GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS4151GS08 0.1900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Variatura Sod-80 LS4151 Estándar Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 12,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 50 Ma 4 ns 50 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
VS-30WQ04FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ04FN-M3 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 30WQ04 Schottky TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 530 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 189pf @ 5V, 1 MHz
VT2080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2080S-M3/4W 0.6042
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 VT2080 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VT2080SM34W EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 920 MV @ 20 A 700 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
ZMM5263B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5263B-13 -
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA ZMM52 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) ZMM5263B-13GI EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 43 V 56 V 150 ohmios
RS3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs3b-e3/57t 0.6600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 2.5 A 150 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1 MHz
VS-STPS20L15GTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS20L15GTRRP -
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS20 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSSTPS20L15GTRRP EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 15 V 520 MV @ 40 A 10 Ma @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C 20A 2000pf @ 5V, 1MHz
VS-VSKE71/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE71/12 36.2300
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKE71 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vsvske7112 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 10 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 80A -
BZX55C3V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C3V3-TR 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% - A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C3V3 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 3.3 V 85 ohmios
BZX384B39-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B39-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B39 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
VS-MBRB1635TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1635TRL-M3 0.8270
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB1635 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 630 MV @ 16 A 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A 1400pf @ 5V, 1MHz
V20KM60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20km60-m3/i 0.4072
RFQ
ECAD 2979 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V20KM60-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 650 MV @ 20 A 400 µA @ 60 V -40 ° C ~ 165 ° C 4.7a 2860pf @ 4V, 1MHz
V12P12-5300M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P12-5300M3/86A -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V12P12 Schottky TO77A (SMPC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 800 MV @ 12 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 12A -
VS-307UA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-307UA200 -
RFQ
ECAD 4322 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 307UA200 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS307UA200 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C 330A -
SMAZ5942B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smaz5942b-m3/5a 0.1063
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz5942 500 MW DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
MMBZ5250C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5250C-E3-18 -
RFQ
ECAD 1613 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5250 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
SL44-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44-E3/9AT 0.9000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SL44 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 440 MV @ 4 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 4A -
VS-S741A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S741A -
RFQ
ECAD 2481 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - 112-VS-S741A Obsoleto 1
S1AFM-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFM-M3/6B 0.0858
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S1a Estándar DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
VS-20CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045-M3 1.7200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 20CTQ045 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 760 MV @ 20 A 2 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock