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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N3087R | - | ![]() | 1349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AC, DO-30, Stud | 1N3087 | Estándar | DO-205AC (DO-30) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *1N3087R | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 V @ 150 A | 17 Ma @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
![]() | Hfa16tb120strl | - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3 V @ 16 A | 135 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||
![]() | MBRB1650HE3/81 | - | ![]() | 2394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB16 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | 1N5393-E3/54 | 0.3700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5393 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZT55A9V1-GS08 | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 6.8 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | FGP10C-E3/54 | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | FGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-S1132A | - | ![]() | 3813 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1132A | - | 112-VS-S1132A | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bate46-tap | 0.4300 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAT46 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 250 Ma | 5 µA @ 75 V | 125 ° C (Máximo) | 150 Ma | 6pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BY127MGP-E3/73 | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | BY127 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1250 V | 1.5 V @ 5 A | 2 µs | 5 µA @ 1250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.75a | - | |||||||||
![]() | AR4PM-M3/87A | 0.4373 | ![]() | 3777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.9 v @ 4 a | 120 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 19TQ015Strr | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 19TQ015 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 360 MV @ 19 A | 1.5 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 19A | - | ||||||||||
![]() | LS4151GS08 | 0.1900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | LS4151 | Estándar | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 12,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | 175 ° C (Máximo) | 300mA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-30WQ04FN-M3 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 189pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VT2080S-M3/4W | 0.6042 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT2080 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VT2080SM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 920 MV @ 20 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
![]() | ZMM5263B-13 | - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5263B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||
![]() | Rs3b-e3/57t | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-STPS20L15GTRRP | - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STPS20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSTPS20L15GTRRP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 520 MV @ 40 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-VSKE71/12 | 36.2300 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKE71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvske7112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 10 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | ||||||||||
![]() | BZX55C3V3-TR | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C3V3 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX384B39-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 9895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B39 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-MBRB1635TRL-M3 | 0.8270 | ![]() | 1503 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB1635 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | V20km60-m3/i | 0.4072 | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V20KM60-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 20 A | 400 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 165 ° C | 4.7a | 2860pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | V12P12-5300M3/86A | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V12P12 | Schottky | TO77A (SMPC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 800 MV @ 12 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||
VS-307UA200 | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 307UA200 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS307UA200 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 330A | - | |||||||||||
![]() | Smaz5942b-m3/5a | 0.1063 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5942 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||
MMBZ5250C-E3-18 | - | ![]() | 1613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | SL44-E3/9AT | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SL44 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 440 MV @ 4 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | ||||||||||
![]() | VS-S741A | - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-S741A | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S1AFM-M3/6B | 0.0858 | ![]() | 9731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S1a | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.47 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-20CTQ045-M3 | 1.7200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 20CTQ045 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 760 MV @ 20 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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