RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UGB15JT-E3/45	-	RFQ	6785	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB15	Estándar		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 15 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB15H45CThe3/45	-	RFQ	9715	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
S4PMHM3/86A	-	RFQ	5364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4P	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
PTV22B-M3/85A	0.1153	RFQ	1381	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV22		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 17 V				23.3 V	14 ohmios
1N5241C-TR	0.0288	RFQ	2781	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5241		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 8.4 V				11 V	22 ohmios
V3FL45-M3/H	0.3700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		580 MV @ 3 A		750 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	370pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA08PB60PBF	-	RFQ	1278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	HFA08	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
V20PW15C-M3/I	1.1000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PW15	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.24 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VB10150C-E3/8W	0.5950	RFQ	1949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB10150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.41 v @ 5 a		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-6F120	8.2100	RFQ	2429	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6f120	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 v @ 19 a		12 Ma @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-6CSH01HM3/86A	0.8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6CSH01	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	3A	940 MV @ 3 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5239C-E3-08	0.3200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5239		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							3 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
1N4759A-T	-	RFQ	8145	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4759		1.3 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 V	2000 ohmios
VS-S1844	-	RFQ	7626	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto									-				112-VS-S1844	Obsoleto		1
TZM5225F-GS18	-	RFQ	6800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5225		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				3 V	1600 ohmios
BZM55B12-TR3	0.3200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B12		500 MW	Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V				12 V	90 ohmios
SS3H9HE3_A/H	-	RFQ	9371	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SS3H9	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		800 MV @ 3 A		20 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-SD1500C08L	140.1400	RFQ	1558	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD1500	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.64 V @ 3000 A		50 Ma @ 800 V		1600A	-
By458tap	0.2772	RFQ	6764	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BY458	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.6 v @ 3 a	2 µs	3 µA @ 1200 V	140 ° C (Máximo)	2A	-
VS-2EGH02-M3/5BT	0.1529	RFQ	9500	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	2EGH02	Estándar		DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 2 A	23 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
MMBZ5263B-G3-08	-	RFQ	6198	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5263		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
BZM55B62-TR	0.0433	RFQ	7705	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B62		500 MW	Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V				62 V	1000 ohmios
GI250-4HE3/73	-	RFQ	2907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GI250	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4000 V		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
47CTQ020-1	-	RFQ	4957	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	47ctq	Schottky		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*47CTQ020-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	20 V	20A	450 MV @ 20 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GDZ10B-HG3-18	0.0523	RFQ	1223	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ10		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 7 V				10 V	30 ohmios
BZD27B18P-HE3-08	0.1238	RFQ	8246	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13 V				18 V	15 ohmios
SB140-E3/73	0.4600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB140	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		480 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZD27C11P-HE3-18	0.1520	RFQ	2949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		4 µA @ 8.2 V				11 V	7 ohmios
GP10GHE3/73	-	RFQ	9518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-20ETF08StrrPBF	-	RFQ	5138	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs20etf08Strrpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.31 v @ 20 a	95 ns	100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²