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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYT28F-400-E3/45 | - | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | ByT28 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Ar4pjhm3_a/h | 0.6699 | ![]() | 6112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 77pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SS3P4HE3/84A | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ss3p4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 3 A | 150 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Hfa30ta60cstrr | - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA30 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 15a (DC) | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | BZT52B5V6-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B5V6 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | SBLB1630CT-E3/45 | - | ![]() | 2653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1630 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 8A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | PLZ2V4B-G3/H | 0.2800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.95% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ2V4 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 120 µA @ 1 V | 2.53 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-MBRD660CTTRL-M3 | 0.3366 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD660 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRD660CTTRLM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 3A | 700 MV @ 3 A | 100 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
MMBZ5247C-G3-18 | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | MBRB30H50CThe3_A/I | - | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB30 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 680 MV @ 15 A | 60 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | LL4148-13 | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL4148 | Estándar | Sod-80 mínimo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | LL4448-GS08 | 0.1700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL4448 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 720 MV @ 5 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-MBR4060WTPBF | - | ![]() | 2133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR40 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 720 MV @ 20 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | RGP10BE-E3/54 | 0.4800 | ![]() | 9414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 20etf02strl | - | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf02 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
![]() | VS-20ETF02STRLPBF | - | ![]() | 4294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf02 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs20etf02strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 20 A | 60 ns | 100 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||
![]() | VS-15EWX06FN-M3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15EWX06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 V @ 15 A | 22 ns | 200 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||
![]() | Nsb8bthe3_b/p | 0.6930 | ![]() | 6734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBR6045WTPBF | - | ![]() | 7107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR60 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 620 MV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-HFA08TB120S-M3 | 1.5100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 4.3 V @ 16 A | 95 ns | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | VS-15TQ060Strl-M3 | 1.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15TQ060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 620 MV @ 15 A | 800 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 720pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
VS-SD300R25pc | 109.6625 | ![]() | 9694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | SD300 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2500 V | 1.83 V @ 1180 A | 15 Ma @ 2500 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 380A | - | |||||||||||
![]() | MBRF20H35CT-E3/45 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF20 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 10A | 630 MV @ 10 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | BZT52B36-G3-08 | 0.0697 | ![]() | 4955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B36 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-5EAH02HM3/I | 0.5800 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-5EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 5 A | 25 ns | 4 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | SML4745HE3/5A | - | ![]() | 7468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4745 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-6F10 | 5.2510 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 6f10 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 19 a | 12 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | TLZ20C-GS08 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ20 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 18.3 V | 20 V | 28 ohmios | |||||||||||
![]() | FGP20D-E3/54 | - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VB40100C-M3/4W | 1.3540 | ![]() | 5279 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB40100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 730 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
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