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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
48CTQ060	-	RFQ	5251	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	48CTQ	Schottky		Un 220-3	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX85-C200	-	RFQ	2002	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	Q1076928B	EAR99	8541.10.0050	5,000					1 V @ 200 Ma		500 na @ 150 V				200 V	1500 ohmios
MBRB15H50CThe3/45	-	RFQ	3243	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	7.5a	730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
TLZ24A-GS08	0.0335	RFQ	7975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ24		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 20.9 V				24 V	35 ohmios
GDZ13B-E3-18	0.0360	RFQ	4399	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ13		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 10 V				13 V	37 ohmios
40cpq080	-	RFQ	3834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	40cpq	Schottky		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	20A	770 MV @ 20 A		1.25 mA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
S3JHE3_A/H	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3J	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
VLZ3V0A-GS18	-	RFQ	9435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ3V0		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				2.96 V	70 ohmios
MMBZ4624-E3-18	-	RFQ	2572	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4624		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
VS-40HFL60S02	11.9500	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40HFL60	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.95 V @ 40 A	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
VLZ2V4A-GS08	-	RFQ	8793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ2V4		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		70 µA @ 1 V				2.43 V	100 ohmios
1N5266B-T	-	RFQ	7185	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5266		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		1N5266B-TGI	EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 52 V				68 V	1600 ohmios
V20K60HM3/I	0.4021	RFQ	7386	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V20K60HM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		610 MV @ 20 A		700 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	2910pf @ 4V, 1MHz
BAV20WS-HG3-18	0.0451	RFQ	1690	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	Bav20	Estándar		Sod-323	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
VS-85HFLR60S05	14.6345	RFQ	7532	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFLR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 266.9 A	500 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	85a	-
1N5263B-TAP	0.2300	RFQ	46	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5263		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
VS-150K40A	36.2700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	150k40	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
VSSC520S-M3/57T	0.5400	RFQ	468	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SC520	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.7 V @ 5 A		200 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	280pf @ 4V, 1 MHz
VS-SD600R12PC	158.6317	RFQ	5362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD600	Estándar		B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.31 V @ 1500 A		35 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	600A	-
VS-60CPU02-N3	8.2500	RFQ	144	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	60CPU02	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	30A	1.1 V @ 30 A	30 ns	50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Zpy68-tap	0.0545	RFQ	8435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy68		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Zpy68tap	EAR99	8541.10.0050	25,000							500 na @ 51 V				68 V	65 ohmios
VS-MBR1635-N3	-	RFQ	3574	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR16	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSMBR1635N3	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	1400pf @ 5V, 1MHz
VS-SD703C25S20L	125.7600	RFQ	9444	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD703	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		2.2 V @ 1500 A	3 µs	50 Ma @ 2500 V		700A	-
SE15PJ-E3/85A	-	RFQ	6256	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SE15	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	9.5pf @ 4V, 1MHz
VS-60EPF04PBF	-	RFQ	8174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf04	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
PTV5.1B-E3/85A	-	RFQ	8610	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV5.1		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		20 µA @ 1 V				5.4 V	8 ohmios
BZG05C10-HE3-TR3	-	RFQ	2360	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 7 V				10 V	7 ohmios
VS-HFA60EA120P	-	RFQ	8712	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Banda	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	HFA60	Estándar		Sot-227	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSHFA60EA120P	EAR99	8541.10.0080	180	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	30A (DC)	3 V @ 30 A	145 ns	75 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-90SQ045TR	-	RFQ	4410	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	90SQ045	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		480 MV @ 9 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	9A	-
BZT52B3V0-E3-18	0.0433	RFQ	3546	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B3V0		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000											3 V	95 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²