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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-32CTQ030STRL-M3 | 1.6400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 32CTQ030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 15A | 490 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | S1paHe3/84a | - | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VLZ27C-GS18 | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ27 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 24.3 V | 26.29 V | 45 ohmios | ||||||||||||
AZ23B30-HE3-08 | 0.0534 | ![]() | 9956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B30 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 22.5 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | Esh2bhe3_a/h | 0.1576 | ![]() | 6710 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ESH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
VS -50KR10A | 28.5996 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 150kr10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.33 v @ 471 a | 35 Ma @ 100 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | VS-50WQ06FNTRLPBF | - | ![]() | 9736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 570 MV @ 5 A | 3 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | 360pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SS8P4C-M3/86A | 0.6700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 4A | 580 MV @ 4 A | 300 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-16FR120 | 8.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 16FR120 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.23 V @ 50 A | 12 Ma @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | VS-SD300C28C | 110.8783 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AA, A-PUK | SD300 | Estándar | DO-200AA, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2800 V | 2.08 V @ 1500 A | 15 Ma @ 2800 V | 540A | - | ||||||||||||
![]() | VLZ27-GS18 | - | ![]() | 7481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ27 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 27 V | 45 ohmios | |||||||||||||
UGE8JT-E3/45 | - | ![]() | 9796 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UGE8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 v @ 8 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | SS14-7001HE3_B/I | - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | EGP10G-M3S/73 | - | ![]() | 2035 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Byt51a-tap | 0.2475 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | ByT51 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
BAS70-00-G3-08 | 0.3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS70 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GP10J-M3/54 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | PTV12B-M3/84A | 0.1223 | ![]() | 7194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV12 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 9 V | 12.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | GL34B-E3/98 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | GL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-UFL250CB60 | 19.9721 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | UFL250 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSUFL250CB60 | EAR99 | 8541.10.0080 | 160 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 130A | 1.44 V @ 100 A | 104 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | VS-VSKD91/04 | 40.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKD91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 50A | 10 Ma @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | S8pj-m3/i | 0.2175 | ![]() | 6536 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S8PJ | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-S8PJ-M3/ITR | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 8 a | 5 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Ar4pdhm3_a/h | 0.6699 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 77pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | ZMM5225B-7 | - | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | ZMM52 | 500 MW | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-VS52ASR04M | - | ![]() | 4078 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS52 | - | 112-VS-VS52ASR04M | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCL4448-TR3 | 0.2200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | MCL4448 | Estándar | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
AZ23B30-G3-18 | 0.0594 | ![]() | 3691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B30 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 22.5 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | Muh1pd-m3/89a | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | MicroSMP | Muh1 | Estándar | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 1 a | 40 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Uh6pdhm3_a/i | - | ![]() | 5026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 6 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SSA24HE3/61T | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA24 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 2 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | - |
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