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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SD101A-TR	0.3700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	SD101	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		60 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)	30mera	2pf @ 0V, 1 MHz
BZX584C11-VG-08	-	RFQ	2163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c-vg	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							100 na @ 8 V				11 V	20 ohmios
BZW03C43-TR	-	RFQ	7675	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 33 V				43 V	20 ohmios
VS-8ETH06SHM3	0.7425	RFQ	8165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth06	Estándar		TO-263 (D2PAK)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	22 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-1N3890R	6.9900	RFQ	60	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3890	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.4 v @ 12 a	300 ns	25 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
VS-4EWH02FN-M3	0.8200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	4ewh02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-4EWH02FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 4 A	20 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
25ctq035s	-	RFQ	3207	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*25CTQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5406-E3/54	0.4700	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5406	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-10MQ040NTRPBF	0.6400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	38pf @ 10V, 1 MHz
MBRB1635HE3_B/I	0.7838	RFQ	7051	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1635	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
RS1PG-M3/84A	0.4000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1p	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
MMBZ4717-G3-18	-	RFQ	2742	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4717		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 na @ 32.6 V				43 V
UGB15JT-E3/45	-	RFQ	6785	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB15	Estándar		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 15 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Irkj71/10a	-	RFQ	4553	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (2)	Irkj71	Estándar		Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1000 V	80A			10 Ma @ 1000 V
MBRB15H45CThe3/45	-	RFQ	9715	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
S4PMHM3/86A	-	RFQ	5364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4P	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-20CTH03FPPBF	-	RFQ	2279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	20CTH03	Estándar		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	10A	1.25 V @ 10 A	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C
PTV22B-M3/85A	0.1153	RFQ	1381	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV22		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 17 V				23.3 V	14 ohmios
1N5241C-TR	0.0288	RFQ	2781	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5241		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 8.4 V				11 V	22 ohmios
V3FL45-M3/H	0.3700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		580 MV @ 3 A		750 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	370pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA08PB60PBF	-	RFQ	1278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	HFA08	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
V20PW15C-M3/I	1.1000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PW15	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.24 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VB10150C-E3/8W	0.5950	RFQ	1949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB10150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.41 v @ 5 a		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-6F120	8.2100	RFQ	2429	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6f120	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 v @ 19 a		12 Ma @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-6CSH01HM3/86A	0.8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6CSH01	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	3A	940 MV @ 3 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5239C-E3-08	0.3200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5239		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							3 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
1N4759A-T	-	RFQ	8145	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4759		1.3 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 V	2000 ohmios
VS-S1844	-	RFQ	7626	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto									-				112-VS-S1844	Obsoleto		1
TZM5225F-GS18	-	RFQ	6800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5225		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				3 V	1600 ohmios
BZM55B12-TR3	0.3200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B12		500 MW	Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V				12 V	90 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²