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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4007-E3/53	0.4100	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4007	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 1000 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
GP10GHE3/73	-	RFQ	9518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-20ETF08StrrPBF	-	RFQ	5138	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs20etf08Strrpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.31 v @ 20 a	95 ns	100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
SS1P5L-E3/84A	-	RFQ	1265	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P5	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		590 MV @ 1 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VS-32CTQ025Strl-M3	0.8966	RFQ	8655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	32CTQ025	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	25 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RGP25BHE3/54	-	RFQ	6316	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	RGP25	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 2.5 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2.5a	60pf @ 4V, 1MHz
30WQ03FNTRR	-	RFQ	5498	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		450 MV @ 3 A		2 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
VS-SD2500C24K	232.6950	RFQ	8486	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	DO-200AC, K-PUK	SD2500	Estándar		DO-200AC, K-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD2500C24K	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2400 V		1.14 V @ 4000 A			-40 ° C ~ 180 ° C	3000A	-
BZX55B7V5-TAP	0.2200	RFQ	56	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B7V5		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 5 V				7.5 V	7 ohmios
VS-80PFR140	5.8391	RFQ	4807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	80pFr140	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PFR140	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.46 V @ 220 A			-55 ° C ~ 150 ° C	80A	-
V8pa10hm3/i	0.5600	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V8PA10	Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		760 MV @ 8 A		800 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	850pf @ 4V, 1 MHz
MBR10H150CT-E3/45	-	RFQ	9544	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR10	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	880 MV @ 5 A		5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BY29B-400HE3/45	-	RFQ	3222	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UF4006-E3/73	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4006	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
1N5406-E3/73	0.5400	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5406	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-MBRB4045CTRHM3	1.4447	RFQ	3658	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB4045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
PLZ24B-HG3_A/H	0.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, PLZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ24		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					900 MV @ 10 Ma		200 na @ 19 V				23.19 V	35 ohmios
MBR2090CT-1	-	RFQ	2084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR20	Schottky		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*MBR2090CT-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MBRB1645-E3/45	1.4700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1645	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
GI826-E3/54	-	RFQ	8466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	P600, axial	GI826	Estándar		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 5 a	200 ns	10 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	5A	300pf @ 4V, 1MHz
RGP20J-E3/54	-	RFQ	3778	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	RGP20	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 v @ 2 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
MMSZ4682-E3-08	0.2700	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4682		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							1 µA @ 1 V				2.7 V
60hfur-100	-	RFQ	7474	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	60hfur	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*60hfur-100	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 60 A	80 ns	50 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	60A	-
V40pwm60chm3/i	1.5800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V40PWM60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	720 MV @ 20 A		1.4 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
V10km120chm3/i	0.3557	RFQ	1401	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-v10km120chm3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	3.9a	830 MV @ 5 A		200 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BZD27B200P-E3-08	0.1155	RFQ	5721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B200		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 150 V				200 V	500 ohmios
VS-20TQ040-M3	0.6673	RFQ	1890	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	20TQ040	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		730 MV @ 40 A		2.7 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
VS-43CTQ100StrlPBF	-	RFQ	2489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	43ctq100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-60CTQ035-M3	1.4522	RFQ	9215	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	60ctq035	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	30A	720 MV @ 60 A		2 Ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MBR20H90CTG-E3/45	-	RFQ	3969	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR20	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	10A	850 MV @ 10 A		3.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²