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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
TLZ2V7B-GS18	0.0422	RFQ	3675	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ2V7		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
Byx82tr	0.2475	RFQ	5401	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byx82	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	4 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	20pf @ 4V, 1 MHz
VS-12CWQ10FNTR-M3	0.9700	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	6A	950 MV @ 12 A		1 ma @ 100 V	150 ° C (Máximo)
1N5234C-TAP	0.0288	RFQ	6502	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5234		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 4 V				6.2 V	7 ohmios
IRD3909	-	RFQ	4291	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	IRD3909	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRD3909	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.8 V @ 62.8 A	350 ns	80 µA @ 50 V	-40 ° C ~ 125 ° C	30A	-
GP15K-E3/54	0.6300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4V, 1 MHz
US1B/1	-	RFQ	4953	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US1	Estándar		DO-214AC (SMA)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.600	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
TZQ5243B-GS08	0.0303	RFQ	7357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5243		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
VS-S1601	-	RFQ	4257	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Obsoleto					S1601				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	50
MMBZ5236B-G3-08	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5236		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 6 V				7.5 V	6 ohmios
BZD27B100P-E3-18	0.1050	RFQ	1987	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B100		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 75 V				100 V	200 ohmios
V40pwm10chm3/i	1.5800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V40PWM10	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	890 MV @ 20 A		400 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C
1N4151W-E3-18	0.0342	RFQ	1174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	1N4151	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
Tzx2v4b-tap	0.0290	RFQ	3058	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx2v4		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 500 MV				2.4 V	100 ohmios
RMPG06DHE3_A/73	-	RFQ	1023	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
1N5624-TAP	0.4554	RFQ	2283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	1N5624	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
SS1P6LHM3/85A	0.0990	RFQ	4937	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		590 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1 MHz
M20H100CThe3_A/P	-	RFQ	6093	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	M20H100	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	770 MV @ 10 A		4.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-12CWQ04FNTRL-M3	0.4386	RFQ	9087	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS12CWQ04FNTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	6A	680 MV @ 12 A		3 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GLL4761A-E3/96	0.3256	RFQ	5464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4761		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500							5 µA @ 56 V				75 V	175 ohmios
PLZ3V6A-G3/H	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3.36%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ3V6		960 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V				3.58 V	60 ohmios
VS-15ETH06PBF	-	RFQ	8804	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	15eth06	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.2 v @ 15 a	35 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
BYV27-100-TAP	0.7400	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BYV27	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.07 v @ 3 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	-
VB40150C-M3/8W	1.1171	RFQ	4048	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB40150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	15A	1.36 v @ 15 a		200 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UGB8HCT-E3/81	-	RFQ	3379	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	500 V	4A	1.75 v @ 4 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWF04SPBF	-	RFQ	8631	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWF04	Estándar		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWF04SPBF	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 8 a		100 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
GP10B-E3/73	-	RFQ	9833	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BYM13-20HE3/96	-	RFQ	4034	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	BYM13	Schottky		GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BYM13-20HE3_A/H	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
Hfa04tb60strr	-	RFQ	2756	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	-
VS-8ETU04StrrPBF	-	RFQ	6138	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etu04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs8etu04Strrpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 8 A	43 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

2000+

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15,000 m2

15,000 m²