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Diodos (29505)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SB360L-5705E3/72 | - |  | 8674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | 112-SB360L-5705E3/72TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | ||||||||||||||||||||||
 | Nsf8athe3_b/p | - | | 4051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Estándar | ITO-220AC | - | 1 (ilimitado) | 112-NSF8ATHE3_B/PTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | V15PN50-5700M3/86A | - | | 3877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | - | 1 (ilimitado) | 112-V15PN50-5700M3/86ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 560 MV @ 15 A | 3 Ma @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||
 | BZX884B39L-G3-08 | 0.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||
| BZX884B8V2L-HG3-08 | 0.3600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||
| BZX884B5V6L-HG3-08 | 0.3600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||
| BZX884B6V8L-HG3-08 | 0.3600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||
| BZX884B22L-HG3-08 | 0.3600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||
| BZX884B9V1L-HG3-08 | 0.3600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||
| BZX884B4V7L-G3-08 | 0.3200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||
| BZX884B27L-HG3-08 | 0.3600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||
| BZX884B47L-HG3-08 | 0.3600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||
| BZX884B43L-HG3-08 | 0.3600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||
| BZX884B30L-HG3-08 | 0.3600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||
| BZX884B5V6L-G3-08 | 0.3200 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||
| BZX884B47L-G3-08 | 0.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||
| BZX884B20L-G3-08 | 0.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||
| BZX884B11L-HG3-08 | 0.3600 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
 | VS-3EAH02-M3/H | 0.4200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-3EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 960 MV @ 3 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
| VS-1EAH02-M3/H | 0.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-1EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 1 A | 23 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
| VS-1EAH02HM3/H | 0.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-1EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 1 A | 23 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
| VS-5EAH02-M3/I | 0.5800 | | 6995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-5EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 5 A | 25 ns | 4 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||
| VS-2EAH02-M3/H | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-2EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
| VS-2EAH02HM3/H | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-2EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
| VS-5EAH02-M3/H | 0.5800 | | 300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-5EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 970 MV @ 5 A | 25 ns | 4 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||
| S4pdhm3_b/i | - | | 1240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S4PD | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | 112-S4PDHM3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | DZ23C8V2-HE3_A-08 | - | | 8533 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C8V2-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
| BZX84B24-HE3_A-18 | 0.0498 | | 8281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B24-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||
 | MMSZ5239B-HE3_A-08 | 0.0549 | | 8989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5239B-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| MMSZ5250C-HE3_A-18 | 0.0566 | | 2165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5250C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios |
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