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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
ByWB29-50HE3_A/i	0.9264	RFQ	7249	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-1N1202RA	-	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N1202	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.35 v @ 12 a		2 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
BAS581-02V-VG-08	-	RFQ	2112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BAS581	Schottky		Sod-523	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		370 MV @ 1 MA		500 na @ 30 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 1v, 1 MHz
UG1B-M3/73	-	RFQ	2837	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UG1	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
BYQ28E-100-E3/45	0.5341	RFQ	1198	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	BYQ28	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-180NQ045PBF	24.7585	RFQ	3135	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	180NQ045	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 180 A		15 Ma @ 45 V		180A	7700pf @ 5V, 1MHz
1N5821-E3/54	0.4400	RFQ	55	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5821	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 3 A		2 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
S8cmhm3/i	0.3960	RFQ	1893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S8cm	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		985 MV @ 8 A	4 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	79pf @ 4V, 1MHz
Rs1pd-e3/85a	-	RFQ	6059	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
MUrB2020CT	-	RFQ	1952	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb2020	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	850 MV @ 8 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
RGP10A-M3/73	-	RFQ	3200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
AZ23C8V2-HE3_A-08	-	RFQ	9374	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23C8V2-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							700 na @ 5 V				8.2 V	15 ohmios
SMPZ3929B-E3/84A	-	RFQ	6843	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 11.4 V				15 V	9 ohmios
VS-MUrB2020CT-1HM3	1.0836	RFQ	1797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb2020	Estándar		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsmurb2020ct1hm3	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	850 MV @ 8 A	21 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
10etf04strl	-	RFQ	6317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 10 a	145 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-50SQ060TR	-	RFQ	9810	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	50sq060	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		660 MV @ 5 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
VS-113CNQ100ASLPBF	-	RFQ	2410	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	113CNQ100	Schottky		D-61-8-SL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-113CNQ100ASLPBFGI	EAR99	8541.10.0080	400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	55a	1 V @ 110 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VSSA3L6S-01M3/61T	-	RFQ	7739	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	-		1 (ilimitado)		112-VSSA3L6S-01M3/61TTR	EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		580 MV @ 3 A		1.5 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5a	395pf @ 4V, 1MHz
VS-6TQ045StrrPBF	-	RFQ	1442	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	6TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
ESH3B-E3/9AT	0.3208	RFQ	5490	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ESH3	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 3 A	40 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-6EVX06HM3/I	0.9100	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6EVX06	Estándar		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3.1 v @ 6 a	18 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	-
32CTQ025	-	RFQ	4932	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	32ctq	Schottky		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*32CTQ025	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	25 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V35pwm12hm3/i	1.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V35PWM12	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		1.05 V @ 35 A		1.2 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	35a	2080pf @ 4V, 1MHz
V30DL45BP-M3/I	1.0500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V30DL45	Schottky		SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		650 MV @ 30 A		3 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
VB40100C-M3/8W	1.3540	RFQ	4483	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB40100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	730 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-6TQ035PBF	-	RFQ	8418	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	6TQ035	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-SD400N16PC	106.5800	RFQ	2282	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	SD400	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V				15 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 190 ° C	400A	-
43ctq100strl	-	RFQ	8984	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	43ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-10CDU06HM3/I	1.6600	RFQ	3501	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	10CDU06	Estándar		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	5A	1.5 V @ 5 A	45 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-30BQ040HM3/9AT	0.5800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ040	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		570 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	230pf @ 5V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²