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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
FGP30D-E3/54	-	RFQ	2771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FGP30	Estándar	DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
BYW29-50HE3/45	-	RFQ	5008	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-2	BYW29	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	45pf @ 4V, 1MHz
SL04-M3-08	0.1238	RFQ	4815	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-219AB	SL04	Schottky	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 1.1 A	10 ns	20 µA @ 40 V	175 ° C (Máximo)	1.1a	65pf @ 4V, 1 MHz
SS25HE3/5BT	-	RFQ	2173	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS25	Schottky	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VB30M120CHM3/I	-	RFQ	7832	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB30M	Schottky	Un 263ab	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	15A	980 MV @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-10MQ060NPBF	-	RFQ	1684	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ060	Schottky	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		710 MV @ 1.5 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.1a	-
VS-30ETH06SPBF	-	RFQ	8670	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30eth06	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.6 V @ 30 A	35 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-MUrB1620CTRHM3	1.2210	RFQ	8391	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1620	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsmurb1620CTRHM3	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	8A	975 MV @ 8 A	20 ns	250 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MBRF1090-E3/4W	0.6961	RFQ	7722	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1090	Schottky	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
EGP51F-E3/C	0.8126	RFQ	8650	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo	A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	EGP51	Estándar	Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	48pf @ 4V, 1 MHz
VS-32CTQ025PBF	-	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic	A Través del Aguetero	Un 220-3	32CTQ025	Schottky	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	25 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
30CTH02	-	RFQ	8656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-3	30cth	Estándar	Un 220-3	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CTH02	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Ss23she3_b/h	0.4300	RFQ	3896	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Ss23	Schottky	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 2 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	130pf @ 4V, 1MHz
VS-6FR100	5.2510	RFQ	4672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FR100	Polaridad Inversa Estándar	DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 19 a		12 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-E5PH3012L-N3	3.6500	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	To-247-2	E5PH3012	Estándar	Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.3 V @ 30 A	113 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-16CTQ080S-M3	1.7500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VSSAF3M6-M3/I	0.1188	RFQ	8344	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Saf3m6	Schottky	DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		620 MV @ 3 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	500pf @ 4V, 1MHz
Nsf8jththththe 45	-	RFQ	6750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic	A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	NSF8	Estándar	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
MURS360S-E3/5BT	0.5200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs360	Estándar	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.45 v @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
AS1PGHM3/84A	0.3630	RFQ	5547	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO220AA	AS1	Avalancha	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 1.5 A	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	10.4pf @ 4V, 1MHz
S2A/54	-	RFQ	3337	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2A	Estándar	DO-214AA (SMB)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
ESH2PD-E3/85A	-	RFQ	6520	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-100BGQ045	4.3500	RFQ	375	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Powertab ™, Powirtab ™	100BGQ045	Schottky	POWIRTAB ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		730 MV @ 100 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	100A	-
VS-SD1100C04C	68.6800	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD1100	Estándar	B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.31 V @ 1500 A		35 Ma @ 400 V		1400A	-
MB30H45C-61HE3J/81	-	RFQ	2910	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			MB30H45			-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800
BYQ28E-150HE3/45	-	RFQ	9102	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-3	BYQ28	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
FGP10D-E3/73	-	RFQ	2374	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	FGP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-42HF60	6.2830	RFQ	2432	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	42HF60	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS42HF60	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 125 A			-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
VS-6FLR20S02	5.5151	RFQ	9943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR20	Polaridad Inversa Estándar	DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
VS-16CTQ080Strl-M3	0.9083	RFQ	4364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²