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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SML4734A-E3/61 | - | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4734 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-VSKC166/16PBF | 62.7673 | ![]() | 4852 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak | VSKC166 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskc16616pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 82.5a | 1.43 V @ 259 A | 20 Ma @ 1600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | VSB2200S-M3/54 | - | ![]() | 7342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | B2200 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.23 v @ 2 a | 40 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | U3B-M3/57T | 0.2003 | ![]() | 7594 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | U3B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 3 A | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N5622GP-E3/73 | - | ![]() | 6816 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5622 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRF25H50CThe3/45 | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF25 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 640 MV @ 15 A | 1.2 Ma @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | MBR10H35-E3/45 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR10 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 10 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | SD103CWS-HG3-08 | 0.0594 | ![]() | 8026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-MBR4060WTPBF | - | ![]() | 2133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR40 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 720 MV @ 20 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-E4PH6006LHN3 | 2.8900 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | E4PH6006 | Estándar | Un 247ad | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 60 A | 68 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||||
VS-20TQ045-M3 | 1.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20TQ045 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 730 MV @ 40 A | 2.7 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 20etf08s | - | ![]() | 5861 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
SRP300D-E3/54 | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Srp300 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Byg20d-m3/tr3 | 0.1518 | ![]() | 5975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 1.5 A | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
20etf08 | - | ![]() | 6362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20etf08 | Estándar | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | VS-10ETF04StrlPBF | - | ![]() | 4625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10etf04 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs10etf04Strlpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||
BY253P-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY253 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | TZM5265F-GS18 | - | ![]() | 9987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5265 | 500 MW | Sod-80 mínimo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 1400 ohmios | ||||||||||||
![]() | 52CPQ030 | - | ![]() | 5964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 52cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 25A | 480 MV @ 25 A | 1.9 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | V20DM120C-M3/I | 1.2870 | ![]() | 9381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM120 | Schottky | SMPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 10A | 930 MV @ 10 A | 600 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Vit6045Chm3/4W | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Vit6045 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 640 MV @ 30 A | 3 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Ar1pkhm3/84a | 0.1980 | ![]() | 3109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SS2FH6-M3/H | 0.0870 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS2FH6 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 780 MV @ 2 A | 3 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBRF1635/45 | - | ![]() | 7627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | MBRF1635 | Schottky | ITO-220AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | MBRB20H100CT/45 | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N3957GP-M3/54 | - | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | 1N3957 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | V10P45HM3_A/H | 0.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V10P45 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 800 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | Irke71/06a | - | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (2) | Irke71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 10 Ma @ 600 V | 80A | - | ||||||||||||
![]() | V15pm12-m3/i | 0.3300 | ![]() | 9681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V15pm12 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 840 MV @ 15 A | 800 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | Rs1b-m3/61t | 0.0682 | ![]() | 1074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs1b | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz |
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