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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
151CMQ035	-	RFQ	6330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-249AA (Modificado), D-60	151cmq	Schottky		D-60	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*151CMQ035	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	150a	920 MV @ 150 A		5 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V12p45hm3_a/h	0.9500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12P45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		580 MV @ 12 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
VS-1N1187RA	-	RFQ	4243	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1187	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.3 V @ 126 A		2.5 mA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
MBRB1535CT	-	RFQ	9832	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VB10150S-M3/8W	0.6527	RFQ	3454	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB10150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Irkd196/16	-	RFQ	5671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	Irkd196	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	195a			20 Ma @ 1600 V
GP10QE-M3/54	-	RFQ	8851	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-6FR60	3.7351	RFQ	2223	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 19 a		12 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
MMSZ5226C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5226C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
VS-10CWH02FNTR-M3	0.9700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	10CWH02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	1.15 V @ 10 A	21 ns	4 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-85HFR20	12.1300	RFQ	5558	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFR20	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
As4pghm3_a/i	0.6386	RFQ	7808	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 4 a	1.8 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
Irke196/08	-	RFQ	5098	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (2)	Irke196	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irke196/08	EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V				20 Ma @ 800 V		195a	-
VS-41HFR100	8.9776	RFQ	6442	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	41HFR100	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 125 A		9 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
VS-8ETL06SPBF	-	RFQ	9083	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etl06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
30BQ040	-	RFQ	2180	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ040	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		530 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
FEPB16JT-E3/81	1.7300	RFQ	758	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	8A	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4151W-G3-18	0.0409	RFQ	2362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	1N4151	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
MMBD914-HE3-08	0.2100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mmbd914	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
VS-15ETL06-N3	-	RFQ	3026	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	15etl06	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-15ETL06-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 15 a	270 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
V2PM12-M3/H	0.3900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		980 MV @ 2 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	140pf @ 4V, 1MHz
VS-40HFL40S02	12.3400	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40hfl40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.95 V @ 40 A	200 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
VS-SD703C25S30L	122.5133	RFQ	5244	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD703	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.85 V @ 1500 A	3 µs	50 Ma @ 2500 V		790a	-
VS-VS24ASR04M	-	RFQ	4273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24				-				112-VS-VS24Asr04m			1
MBRB10H100-E3/45	1.6400	RFQ	755	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		770 MV @ 10 A		4.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
BY254P-E3/54	0.4700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY254	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
225CMQ015	-	RFQ	1167	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Pestaña aislada de To-244ab	225cmq	Schottky		To-244ab (aislado)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*225CMQ015	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	110A	380 MV @ 110 A		40 mA @ 15 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RGL34K-E3/83	0.4500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	RGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	9,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 500 Ma	250 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-20CTQ035Strl-M3	0.9298	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20CTQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	10A	640 MV @ 10 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-86HF60	10.6655	RFQ	8048	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	86HF60	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²