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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-74-7716	-	RFQ	5576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					74-7716				-				112-VS-74-7716			1
VS-40HFL100S05	12.3441	RFQ	3113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40hfl100	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.95 V @ 40 A	500 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
VS-12TQ040StrlPBF	-	RFQ	9066	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS12TQ040StrlpBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		560 MV @ 15 A		1.75 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
BZG05C3V9-HM3-08	0.4200	RFQ	5672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.13%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C3V9		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 V	15 ohmios
VFT3080C-M3/4W	0.8250	RFQ	7458	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VFT3080	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	15A	820 MV @ 15 A		700 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA04SD60STRP	-	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA04	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	-
UF4006-E3/53	0.1726	RFQ	2294	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4006	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
VBT1045BP-M3/8W	0.5826	RFQ	7811	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT1045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		680 MV @ 10 A		500 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N5396-E3/54	0.3700	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5396	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.4 V @ 1.5 A	2 µs	5 µA @ 500 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1.5a	15pf @ 4V, 1 MHz
ES3B-M3/9AT	0.2101	RFQ	6055	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ES3B	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
PLZ20A-G3/H	0.3200	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ20		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					900 MV @ 10 Ma		200 na @ 15 V				20 V	28 ohmios
Rs2dhe3_a/i	0.1650	RFQ	1964	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2d	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
VLZ5V6-GS08	-	RFQ	4129	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ5V6		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma						5.6 V	13 ohmios
19TQ015Strl	-	RFQ	5068	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	19TQ015	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		360 MV @ 19 A		1.5 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	19A	-
VS-8TQ100GSTRRPBF	-	RFQ	4922	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8TQ100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS8TQ100GSTRRPBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		720 MV @ 8 A		280 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	500pf @ 5V, 1MHz
SE20AFGHM3/6A	0.1210	RFQ	5926	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE20	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	12PF @ 4V, 1MHz
VS-20AWT04-E3	-	RFQ	4254	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto					20AWT04				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1
BAS70-06-E3-18	0.4000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	70 V	200 MMA	1 V @ 15 Ma	5 ns	100 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)
BZM55C75-TR3	0.0368	RFQ	3526	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C75		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 56 V				75 V	1500 ohmios
BZD27C120P-HE3-18	0.1660	RFQ	4204	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C120		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91 V				120 V	250 ohmios
VS-12F10	4.8300	RFQ	4073	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12f10	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.26 v @ 38 a		12 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
VS-HFA30TA60CSL-M3	1.1245	RFQ	5459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA30	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	15a (DC)	2 V @ 30 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GP02-20-E3/54	0.5700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
GI816HE3/54	-	RFQ	8502	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI816	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
V8PA12-M3/I	0.5400	RFQ	65	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V8PA12	Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		870 MV @ 8 A		600 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	700pf @ 4V, 1 MHz
SSB44HE3/5BT	-	RFQ	9149	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB44	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 4 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
VS-25ETS10SPBF	-	RFQ	1834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ets10	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS25ETS10SPBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.14 v @ 25 a		100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Nsb8gthe3_b/p	0.6930	RFQ	8966	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
LL101C-7	-	RFQ	9283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL101	Schottky		Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		390 MV @ 1 MA	1 ns	200 na @ 30 V	125 ° C (Máximo)	30mera	2.2pf @ 0V, 1MHz
VS-SD2000C04L	117.3567	RFQ	3941	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD2000	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.55 V @ 6000 A		60 mA @ 400 V		2100A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²