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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
NSB8DT-E3/45	0.5059	RFQ	1524	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
VS-12TQ035STRR-M3	0.6734	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 155 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
SSB43L-E3/5BT	0.5800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB43	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		450 MV @ 4 A		600 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
FEP30-CP	-	RFQ	8167	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Fep30	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	15A	950 MV @ 15 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SB550/54	-	RFQ	8925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB550	Schottky		Do-201ad	-	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		650 MV @ 5 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
VS-82PF120	6.8491	RFQ	3886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	82pf120	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS82PF120	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		120 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
GP10M-4007EHE3/54	-	RFQ	1106	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V					-	1A	-
MMBZ5247C-G3-18	-	RFQ	4621	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5247		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 13 V				17 V	19 ohmios
VS-UFB80FA60	17.0741	RFQ	2034	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB80	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB80FA60	EAR99	8541.10.0080	160		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	57a	1.9 V @ 60 A	34 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBR25H60CT-E3/45	-	RFQ	9295	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR25	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	700 MV @ 15 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
STPS1045BTRR	-	RFQ	5778	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	STPS1045	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 10 A		200 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	760pf @ 5V, 1MHz
AZ23C51-G3-08	0.0483	RFQ	9397	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C51		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 38 V				51 V	100 ohmios
VS-VSKC56/10	37.0610	RFQ	9019	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKC56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKC5610	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1000 V	30A			10 Ma @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
RGP30MHE3/73	-	RFQ	2274	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 3 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SL42-9C	-	RFQ	7038	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SL42	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	Q1145000A	EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		420 MV @ 4 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	4A	-
VS-HFA16PA120CPBF	-	RFQ	8261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	HFA16	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1200 V	8a (DC)	3.3 V @ 8 A	95 ns	10 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZG04-100-HM3-08	0.5700	RFQ	1652	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-100		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 100 V				120 V
Bate41-tap	0.3900	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAT41	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 200 Ma		100 na @ 100 V	125 ° C (Máximo)	100mA	2pf @ 1v, 1 MHz
EGP20G-E3/54	0.9100	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	EGP20	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	45pf @ 4V, 1MHz
BZG05C7V5-E3-TR	-	RFQ	5449	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V				7.5 V	3 ohmios
VS-8EWF12SPBF	-	RFQ	3890	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWF12	Estándar		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWF12SPBF	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.3 V @ 8 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
MPG06GHE3/54	-	RFQ	4605	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
GI814-E3/54	-	RFQ	2932	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI814	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BAS40-05-E3-18	0.3800	RFQ	3836	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	40 V	200 MMA	1 V @ 40 Ma	5 ns	100 na @ 30 V	125 ° C (Máximo)
VS-20CTH03S-M3	1.7200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20CTH03	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	10A	1.25 V @ 10 A	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SS26HE3/52T	-	RFQ	1676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS26	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VS-50PF160W	4.9245	RFQ	6100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pf160	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50PF160W	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.5 V @ 125 A			-55 ° C ~ 160 ° C	50A	-
GL41B/54	-	RFQ	5422	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SA2K-M3/5AT	0.0717	RFQ	6014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Sa2	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 2 a	1.5 µs	3 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11PF @ 4V, 1MHz
SBL1030CThe3/45	-	RFQ	9776	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL1030	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	5A	550 MV @ 5 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²