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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPG06GHE3/54 | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | Mpg06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV100-GS08 | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BAV100 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-VSKE236/04PBF | 54.3527 | ![]() | 5412 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | VSKE236 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 230A | - | |||||||||||||
![]() | VI10150SHM3/4W | - | ![]() | 1947 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | VI10150 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.2 v @ 10 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | AS3PDHM3/87A | - | ![]() | 6805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1.5 A | 1.2 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.1a | 37pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 42ctq030s | - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 42ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 20A | 480 MV @ 20 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZX384C11-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 2733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C11 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | Fepe16ht-e3/45 | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Fepe16 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 8A | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | FEP30-CP | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Fep30 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 15A | 950 MV @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | STPS1045BTRR | - | ![]() | 5778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | STPS1045 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 10 A | 200 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 760pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZG05C7V5-E3-TR | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||||
![]() | RGP10AE-M3/54 | - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | RGP10 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | Egl34ghe3_a/i | - | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | EGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | Alcanzar sin afectado | Egl34ghe3_b/i | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HFA100MD60D | - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Pestaña aislada de To-244ab | HFA100 | Estándar | To-244ab (aislado) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *HFA100MD60D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 600 V | 83a (DC) | 1.4 V @ 50 A | 115 ns | 20 µA @ 600 V | |||||||||
VS-19TQ015PBF | - | ![]() | 9381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 19TQ015 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 360 MV @ 19 A | 1.5 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 19A | - | |||||||||||
![]() | BAQ135-GS08 | - | ![]() | 5048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BAQ135 | Estándar | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 100 Ma | 1 na @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
RGP30MHE3/73 | - | ![]() | 2274 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Rgp30 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | EGP20G-E3/54 | 0.9100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | UGB12JT-E3/45 | - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UGB12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 V @ 12 A | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | GPP10A-E3/73 | - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GPP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VS-SD1553C25S30K | 344.0800 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | DO-200AC, K-PUK | SD1553 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2500 V | 2.6 V @ 4000 A | 3 µs | 75 Ma @ 2500 V | 1650A | - | ||||||||||
![]() | Byg21k-e3/tr3 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg21 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 V @ 1.5 A | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | AS1PDHM3/85A | 0.3630 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-T40HF100 | 25.1890 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T40 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 15 mA @ 1000 V | 40A | - | ||||||||||||
![]() | V12P10-M3/86A | 0.9800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V12P10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 700 MV @ 12 A | 250 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | MBR25H60CT-E3/45 | - | ![]() | 9295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR25 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 100 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | SL42-9C | - | ![]() | 7038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SL42 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | Q1145000A | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 420 MV @ 4 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | ||||||||||
![]() | FGP30DHE3/54 | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FGP30 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-CPU6006L-N3 | 2.8100 | ![]() | 443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | CPU6006 | Estándar | Un 247ad | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 v @ 30 a | 42 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | BYM10-600-E3/96 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz |
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