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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-20TQ035PBF | - | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20TQ035 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 570 MV @ 20 A | 2.7 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | VS-VSKJ56/16 | 37.0440 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKJ56 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKJ5616 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1600 V | 30A | 10 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MMSZ5255C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 5648 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5255 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | ||||||||||||
![]() | Uh1bhe3/5at | - | ![]() | 4781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | UH1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | VS-MBRD320TR-M3 | 0.2764 | ![]() | 5131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD320 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRD320TRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 3 A | 200 µA @ 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||
VT80L45PW-M3/4W | - | ![]() | 3751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | VT80L45 | Schottky | TO-3PW | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VT80L45PWM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 40A | 580 MV @ 40 A | 9 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | GI751-E3/54 | 0.9200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | P600, axial | GI751 | Estándar | P600 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 6 A | 2.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Byg24jhe3_a/h | 0.1447 | ![]() | 9098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg24 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 1.5 A | 140 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | MBRB2060CThe3_B/I | 0.8250 | ![]() | 1896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB2060 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 150 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MMSZ4693-He3-18 | 0.0378 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4693 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | |||||||||||||
![]() | MMSZ5262B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5262 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX384B5V1-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 3825 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B5V1 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||
18TQ035 | - | ![]() | 4708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 18TQ035 | Schottky | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 600 MV @ 18 A | 2.5 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18A | - | |||||||||||
UGE5JT-E3/45 | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UGE5 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 v @ 5 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | BZG05C91-HE3-TR | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 68 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-HFA25TB60SHM3 | 2.2039 | ![]() | 7293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Hexfred® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA25 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA25TB60SHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 25 A | 50 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||
BY500-100-E3/54 | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY500 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.35 v @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 100 V | 125 ° C (Máximo) | 5A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | AS4PG-M3/87A | 0.3036 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-as4pg-m3/87a | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 962 MV @ 2 A | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
ZM4728A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4728 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 100 µA @ 1 V | 3.31 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-SD553C30S50L | 162.0800 | ![]() | 1641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | Do-200ab, B-PUK | SD553 | Estándar | Do-200ab, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 3.24 V @ 1500 A | 5 µs | 75 mA @ 3000 V | 560A | - | ||||||||||
![]() | VS-16CTQ100PBF | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 16CTQ100 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 8A | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-74-7716 | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 74-7716 | - | 112-VS-74-7716 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40HFL100S05 | 12.3441 | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40hfl100 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.95 V @ 40 A | 500 ns | 100 µA @ 1000 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | |||||||||
![]() | VS-12TQ040StrlPBF | - | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TQ040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS12TQ040StrlpBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZG05C3V9-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C3V9 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | VFT3080C-M3/4W | 0.8250 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VFT3080 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-HFA04SD60STRP | - | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | HFA04 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 4 A | 42 ns | 3 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||
![]() | UF4006-E3/53 | 0.1726 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF4006 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VBT1045BP-M3/8W | 0.5826 | ![]() | 7811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT1045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 680 MV @ 10 A | 500 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | 1N5396-E3/54 | 0.3700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5396 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 500 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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