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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V2fl45hm3/i	0.0825	RFQ	9171	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V2FL45	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		560 MV @ 2 A		570 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2a	270pf @ 4V, 1MHz
VS-6TQ045HN3	0.6539	RFQ	1122	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	6TQ045	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
VS-16CTQ080Strl-M3	0.9083	RFQ	4364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-VS30EDR04L	-	RFQ	9257	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS30				-				112-VS-VS30EDR04L			1
Fepb16gthe3_a/p	1.1715	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-S1074	-	RFQ	4283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1074				-				112-VS-S1074			1
BAV23C-HE3-18	0.0492	RFQ	3495	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BAV23C	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	200MA (DC)	1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 200 V	150 ° C (Máximo)
SL43-E3/9AT	0.9800	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SL43	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		420 MV @ 4 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	4A	-
BZM55B4V7-TR	0.3200	RFQ	6545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	Bzm55b4v7		500 MW	Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 1 V						4.7 V	600 ohmios
GP10-4005EHM3/54	-	RFQ	2800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-C4ZU3006FP-E3	-	RFQ	4114	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	SC-94	C4ZU30	Estándar		Un 3pf	-					EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	15A	1.87 v @ 30 a	73 ns	15 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
AS1PBHM3/84A	-	RFQ	9770	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	AS1	Avalancha		DO-220AA (SMP)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 V @ 1.5 A	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-	1.5a	-
V12pm12-m3/86a	0.8600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12pm12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		800 MV @ 12 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
MSE1PJ-M3/89A	0.3400	RFQ	658	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	MSE1	Estándar		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	780 ns	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
BAT54C-BO-HE3-18	-	RFQ	9648	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
GI812-E3/73	-	RFQ	9065	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI812	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-30CTQ060S-M3	1.7000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTQ060	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	620 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR4045CT-1-M3	0.9181	RFQ	4377	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR4045	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MBRF1060HE3/45	-	RFQ	6341	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF106	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	MBRF1060HE3_A/P	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
V15p12hm3/h	0.9500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15P12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		810 MV @ 15 A		1 ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	-
VS-8ETX06SPBF	-	RFQ	6583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etx06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3 V @ 8 A	17 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BYV26EGPHE3/73	-	RFQ	7788	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BYV26	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX84B47-HE3_A-08	0.0498	RFQ	6272	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-BZX84B47-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 32.9 V						47 V	170 ohmios
AU2PM-M3/87A	0.3300	RFQ	2220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au2	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.5 v @ 2 a	75 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	29pf @ 4V, 1 MHz
ByT53G-TR	0.3168	RFQ	4090	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	ByT53	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.9a	-
VS-70HFR100M	22.0100	RFQ	4132	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFR100	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.35 V @ 220 A			-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
GBPC102-E4/51	-	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Caja	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-1	GBPC102	Estándar		GBPC1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100					1 V @ 1.5 A		5 µA @ 200 V		2 A		Fase única	200 V
VS-301U160	-	RFQ	1743	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	301U160	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.22 v @ 942 a		15 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
VS-16CTQ060PBF	-	RFQ	1771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	16CTQ060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BAW56-E3-18	0.2700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Baw56	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	70 V	250 Ma	1.25 V @ 150 Ma	6 ns	2.5 Ma @ 70 V	150 ° C (Máximo)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²