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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4933GP-E3/73 | - | ![]() | 9403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4933 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | UH1D-M3/61T | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | UH1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | GF1JHE3/67A | - | ![]() | 7074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | GF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | 20TQ035Strl | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 570 MV @ 20 A | 2.7 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VB40M120C-M3/I | 1.4048 | ![]() | 6684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB40M120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VB40M120C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 890 MV @ 20 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Ss24she3_b/h | 0.4400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS24 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZD27C27P-M3-08 | 0.1650 | ![]() | 6470 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-30EPH03-N3 | 6.2500 | ![]() | 405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | 30Eph03 | Estándar | To47ac modificado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 30 A | 38 ns | 60 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||
![]() | 50WQ10FN | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 50WQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 770 MV @ 5 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | 183pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BY29B-200-E3/45 | - | ![]() | 7290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BY229 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | SS1H10HE3/5AT | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 770 MV @ 1 A | 1 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||
![]() | SS3P6-E3/84A | - | ![]() | 6184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS3P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 780 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBRB3030CTL-M3 | 1.1529 | ![]() | 6335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB3030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 15A | 470 MV @ 15 A | 2 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SS8P3LHM3_A/I | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 570 MV @ 8 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 330pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT03C200-TAP | 0.6400 | ![]() | 805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 6% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C200 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||
![]() | V3nm63hm3/i | 0.5400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | V3NM63 | Schottky | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 630 MV @ 3 A | 10 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2.2a | 560pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-ETL1506FP-M3 | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | ETL1506 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSETL1506FPM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.07 v @ 15 a | 210 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||
![]() | SS24S-M3/5AT | 0.4700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS24 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | Rs1pdhm3_a/h | 0.1002 | ![]() | 2242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1p | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-12FLR60S02 | 5.6976 | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FLR60 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 v @ 12 a | 200 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||
![]() | 30CPQ140 | - | ![]() | 6377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30cpq | Schottky | To47ac | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 140 V | 15A | 1 V @ 15 A | 100 µA @ 140 V | - | ||||||||||
![]() | RGF1JHE3/5CA | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | RGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-15ETX06FP-N3 | 1.6600 | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | 15etx06 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-15ETX06FP-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 V @ 15 A | 22 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||
HFA70NC60C | - | ![]() | 7349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-61-8 | HFA70 | Estándar | D-61-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *HFA70NC60C | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 56a (DC) | 1.5 V @ 35 A | 110 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | V2PM15-M3/H | 0.3500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | MicroSMP | V2PM15 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 50 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2a | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | TZM5245B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5245 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||
![]() | MBRB745HE3_B/I | 0.6765 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB745 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||
![]() | VS-12FL40S05 | 5.4736 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FL40 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 v @ 12 a | 500 ns | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||
![]() | As4pkhm3_a/h | 0.6386 | ![]() | 7303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 4 a | 1.8 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.4a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SS3P6L-E3/87A | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS3P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 600 MV @ 3 A | 150 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - |
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