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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-SD603C14S15C	99.1350	RFQ	5473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD603	Estándar		B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		2.97 V @ 1885 A	1.5 µs	45 Ma @ 1400 V		600A	-
By255gphe3/54	-	RFQ	6987	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY255	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
Ugb5hthe3/45	-	RFQ	7040	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB5	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.75 v @ 5 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
ESH1PC-E3/85A	-	RFQ	7538	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-95PFR140	6.6151	RFQ	9467	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95PFR140	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PFR140	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
BZG03B68-M3-18	0.2228	RFQ	2484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B68		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 51 V				68 V	80 ohmios
IRD3902	-	RFQ	7745	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Descontinuado en sic			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	IRD3902	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRD3902	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.65 V @ 62.8 A	350 ns	50 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 125 ° C	20A	-
SS12P2LHM3/87A	-	RFQ	5326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P2	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		560 MV @ 12 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	930pf @ 4V, 1MHz
Ss34hm3_a/i	0.2424	RFQ	4026	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SS34HM3_A/ITR	EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-60EPF04PBF	-	RFQ	8174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf04	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
VS-E5TH2112S2L-M3	2.2800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT® G5	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.66 V @ 20 A	125 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	-
VS-ET3006-1-M3	1.4495	RFQ	2710	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	ETH3006	Estándar		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSETH30061M3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.65 V @ 30 A	26 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
S1FLD-GS18	0.0512	RFQ	2160	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	S1F	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	700mA	4PF @ 4V, 1MHz
MBRB30H90CThe3/45	-	RFQ	7069	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	15A	820 MV @ 15 A		5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-8EWL06FNTR-M3	1.0600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8EWL06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 8 a	170 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
Rs1b-e3/61t	0.4700	RFQ	79	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1b	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
AGP15-600-E3/54	-	RFQ	9752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	AGP15	Avalancha		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 V @ 1.5 A	2 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
V10D45C-M3/I	0.9900	RFQ	9884	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V10D45	Schottky		SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	5A	580 MV @ 5 A		500 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-40CTQ045PBF	-	RFQ	9367	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	40ctq045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	530 MV @ 20 A		3 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VLZ33D-GS18	-	RFQ	9318	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ33		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 29.9 V				32.3 V	65 ohmios
VS-UFB120FA40P	-	RFQ	6409	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB120	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSUFB120FA40P	EAR99	8541.10.0080	180	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	400 V	60A	1.37 v @ 60 a	65 ns	100 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-80-7454	-	RFQ	6662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7454				-				112-VS-80-7454			1
SBL1040CT-E3/45	1.3000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL1040	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	5A	550 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
VS-8TQ100GSPBF	-	RFQ	4987	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8TQ100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS8TQ100GSPBF	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		720 MV @ 8 A		280 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	500pf @ 5V, 1MHz
BZX384B68-HE3-18	0.0378	RFQ	8124	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B68		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 47.6 V				68 V	240 ohmios
V20PWM153C-M3/I	0.4050	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V20PWM153C-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	980 MV @ 10 A		100 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
V1pm12hm3/h	0.3800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V1pm12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		870 MV @ 1 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	100pf @ 4V, 1 MHz
VS-88-5067	-	RFQ	3606	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					88-5067				-				112-VS-88-5067			1
VS-C1OETOTT-M3	-	RFQ	5132	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto									-			Alcanzar sin afectado	112-VS-C1OETOTT-M3	Obsoleto		1
SE10PGHM3/84A	0.1045	RFQ	3623	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE10	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.05 v @ 1 a	780 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²