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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
AZ23C20-HE3-08	0.0436	RFQ	5079	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C20		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 15 V						20 V	50 ohmios
MBRF16H45-E3/45	-	RFQ	5789	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF16	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		660 MV @ 16 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-30ETH06-1-M3	0.8745	RFQ	8759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	30eth06	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.6 V @ 30 A	35 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VB20100S-E3/4W	1.5900	RFQ	7622	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
GI751-E3/54	0.9200	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	GI751	Estándar		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
SS1P4LHE3/85A	-	RFQ	2781	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P4	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		480 MV @ 1 A		150 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
SML4748-E3/61	0.1892	RFQ	3330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4748		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800								5 µA @ 16.7 V						22 V	23 ohmios
DFL1510S-E3/45	0.7900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1510	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		1.5 A		Fase única	1 kV
IRKC236/16	-	RFQ	4866	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	IRKC236	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRKC236/16	EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1600 V	230A			20 Ma @ 1600 V
BZX384B7V5-E3-18	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B7V5		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 1 V						7.5 V	15 ohmios
151CMQ040	-	RFQ	4476	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-249AA (Modificado), D-60	151cmq	Schottky		D-60	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*151CMQ040	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	150a	920 MV @ 150 A		5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GI250-4HE3/73	-	RFQ	2907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GI250	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4000 V		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
Nsf8mthe3_b/p	-	RFQ	3464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	NSF8	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
VS-88HF40	9.0122	RFQ	1034	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	88HF40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS88HF40	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
GI858-E3/54	-	RFQ	3088	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI858	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.25 v @ 3 a	200 ns	10 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
S4pdhm3_a/i	0.1980	RFQ	8852	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4P	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
V4pal45hm3/i	-	RFQ	7593	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V4pal45	Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		430 MV @ 2 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1 MHz
VSKE250-12	-	RFQ	7055	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE250	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V				50 Ma @ 1200 V		250a	-
VS-8TQ100StrrPBF	-	RFQ	9155	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8TQ100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		720 MV @ 8 A		550 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	500pf @ 5V, 1MHz
BYM10-800HE3/96	-	RFQ	4271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym10	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BYM10-800HE3_A/H	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
82CNQ030 MASM	-	RFQ	1069	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	D-61-8-SM	82cnq	Schottky		D-61-8-SM	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*82CNQ030 MASM	EAR99	8541.10.0080	400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	40A	550 MV @ 80 A		5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
FGP30che3/54	-	RFQ	6290	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FGP30	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
EGL34D-E3/98	0.4100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-5EWX06FNTRR-M3	0.3652	RFQ	6898	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	5ewx06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS5EWX06FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.9 v @ 5 a	18 ns	20 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
IRD3910R	-	RFQ	5308	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	IRD3910	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRD3910R	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.8 V @ 62.8 A	350 ns	80 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	30A	-
30BQ060	-	RFQ	9676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ060	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		580 MV @ 3 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-SD500N45MSC	-	RFQ	7893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo					SD500				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD500N45MSC	EAR99	8541.10.0080	6
V10P12-M3/87A	0.3795	RFQ	9537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		820 MV @ 10 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
30BQ015TR	-	RFQ	7546	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ015	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		350 MV @ 3 A		4 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
8tq080strl	-	RFQ	9672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8TQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		720 MV @ 8 A		550 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²